宋三年
作品数: 112被引量:1H指数:1
  • 所属机构:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
  • 所在地区:上海市
  • 研究方向:自动化与计算机技术
  • 发文基金:国家自然科学基金

相关作者

宋志棠
作品数:1,059被引量:351H指数:9
供职机构:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题:相变存储器 相变 相变材料 存储器 电阻
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作品数:313被引量:113H指数:6
供职机构:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题:相变存储器 相变材料 相变 存储器 电阻
吴良才
作品数:132被引量:34H指数:4
供职机构:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题:相变存储器 相变材料 结晶温度 相变 存储器单元
饶峰
作品数:103被引量:5H指数:1
供职机构:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题:相变存储器 相变材料 相变 结晶温度 非晶态
封松林
作品数:657被引量:471H指数:11
供职机构:中国科学院上海高等研究院
研究主题:相变存储器 相变材料 相变 电阻 存储器
钽-锑-碲相变材料的沉积方法及存储器单元的制备方法
本发明涉及微电子技术领域,本发明公开了一种钽‑锑‑碲相变材料的沉积方法及存储器单元的制备方法,该钽‑锑‑碲相变材料的沉积方法包括提供一基底(1);在该基底(1)上沉积钽(Ta)前驱体,得到Ta基底,该钽(Ta)前驱体包括...
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一种三维堆叠相变存储阵列器件及其制备方法
本发明提供一种三维堆叠相变存储阵列器件及其制备方法,所述三维堆叠相变存储阵列器件中,无结型晶体管的栅极采用控制栅极的阶梯式引出方式,形成SSL控制端,WL、BL和SSL的交界点处有一个相变存储单元,实现对每一个存储位点的...
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一种相变材料、相变存储单元及其制备方法
本发明提供一种相变材料、相变存储单元及其制备方法,其中,相变材料包括铒元素、锑元素及碲元素,所述相变材料的化学式为Er<Sub>x</Sub>Sb<Sub>y</Sub>Te<Sub>z</Sub>,其中,x、y、z均指...
宋文雄赵进宋志棠宋三年
相变存储芯片制造核心技术及嵌入式应用
宋志棠封松林刘波陈后鹏李喜陈一峰宋三年陈小刚蔡道林刘卫丽
该发明属于集成电路领域的非易失性半导体存储器。存储器是物联网、云计算、人工智能等新兴产业的基石,更是国家信息产业发展与安全保障的核心器件。中国是信息系统与电子产品生产大国,缺乏自主高端芯片制约中国成为该领域制造强国。该发...
关键词:
关键词:半导体存储器
用于相变存储器的Zr‑Sb‑Te系列相变材料及其制备方法
本发明提供一种用于相变存储器的Zr‑Sb‑Te系列相变材料及其制备方法,所述Zr‑Sb‑Te系列相变材料的化学式为Zr<Sub>100‑x‑y</Sub>Sb<Sub>x</Sub>Te<Sub>y</Sub>,其中0&...
宋志棠郑勇辉成岩刘卫丽宋三年朱敏
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钨-锑-碲相变材料沉积方法及相变存储单元制备方法
本发明提供一种钨-锑-碲相变材料的原子层沉积方法及相变存储单元的制备方法,包括:1)在基底上引入SbCl<Sub>3</Sub>脉冲,清洗未被吸收的SbCl<Sub>3</Sub>,然后引入(R<Sub>3</Sub>S...
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一种纳米复合相变材料及其制备方法
本发明是关于一种新型纳米复合相变材料及其制备方法。纳米复合相变材料特征在于相变材料与铁电材料的复合,铁电材料将相变材料分隔成形状和大小可控的、均匀的、纳米尺寸的区域,从而把相变材料的相变限制在小区域内,同时因为铁电材料具...
宋三年宋志棠万旭东谢志峰封松林
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一种Ge-Te-Al-As阈值开关材料、阈值开关器件单元及其制备方法
本发明提供一种Ge‑Te‑Al‑As阈值开关材料、阈值开关器件单元及其制备方法,所述Ge‑Te‑Al‑As材料的化学通式为(Ge<Sub>x</Sub>Te<Sub>100‑x</Sub>)<Sub>100‑z</Sub...
宋志棠宋三年薛媛
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用于相变存储器的Al-Sb-Se材料及制备方法
本发明提供一种用于相变存储器的Al-Sb-Se材料及制备方法。其中,所述Al-Sb-Se材料是由铝、锑、硒三种元素组成的化合物,其化学式为Al<Sub>x</Sub>Sb<Sub>a</Sub>Se,Sb与Se的原子比为...
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一种相变存储材料及其制备方法
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吕业刚宋三年宋志棠刘波饶峰吴良才
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