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傅柔励
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- 所属机构:中国科学院上海技术物理研究所
- 所在地区:上海市
- 研究方向:理学
- 发文基金:国家自然科学基金
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- Znse/GaAs超晶格的电子态和芯态激子
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- 本文用半经验紧束缚法计算了ZnSe/GaAs(001)超晶格的能带结构,研究了其能隙与有效质量随层厚的变化.计算了(ZnSe)_5/(GaAs)_5超晶格中与杂质有关的芯态激子,其结果能说明相应异质结中束缚在Ga上的激子峰.本文还提出了该材料中导带底存在界面态.
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- 发光聚合物中光激发引起磁化率改变的新现象被引量:1
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- 揭示了发光聚合物中光激发引起的一个新现象:光激发即吸收一个光子使发光聚合物中的正双极化子分裂成两个带正电的极化子,从而使发光聚合物中的磁化率改变。
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- 计算了在不同电子-晶格耦合强度λ下,一维电子-晶格体系中孤子激活能ε_1(λ)及电子激发到禁带中央分立能级所需能量△(λ)。得到孤子激活能随λ增大而增大;但对不同λ,孤子激活能总是小于产生一个电子或空穴所需能量。
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- (ZnSe)_n/(Ge)_(2m)(100)超晶格的理论研究
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