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林兰英
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- 所属机构:中国科学院半导体研究所
- 所在地区:北京市
- 研究方向:电子电信
- 发文基金:国家自然科学基金
相关作者
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- 王晓亮孙殿照王军喜胡国新刘宏新刘成海曾一平李晋闽林兰英
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- 用质量分离的离子束外延（ＭＡＬＥ－ＩＢＥ或简作ＩＢＥ）法在ｎ－Ｓｉ（１１１）上生长了ＣｏＳｉ２超薄外延膜．厚度为１０～２０ｎｍ的ＣｏＳｉ２薄膜的结构特性已由ＡＥＳ、ＲＨＥＥＤ及ＲＢＳ作了研究．
- 姚振钰张国炳秦复光刘志凯刘志凯林兰英
- 关键词：离子束外延
- 半绝缘GaAs单晶化学配比的X射线双晶衍射Bond方法测量被引量：4
- 1998年
- 本文利用Ｘ射线双晶衍射Ｂｏｎｄ方法，精确测量了各种条件下生长的半绝缘ＧａＡｓ的晶格参数．建立了过量Ａｓ在晶体中存在的间隙原子对模型，在理论上找到了影响半绝缘ＧａＡｓ晶格参数的根本原因．并建立了半绝缘ＧａＡｓ晶格参数与化学配比的关系，实现了化学配比的无损测量．这对于ＧａＡｓ单晶的制备和相关光电子器件的研究具有重要意义．
- 王玉田陈诺夫何宏家林兰英
- 关键词：砷化镓X射线双晶衍射
- GaN材料的GSMBE生长被引量：1
- 1997年
- 在国内首次用NH3作氮源的GSMB方法在α－Al2O3衬底上生长出了GaN单晶外延膜。GaN生长速率可达0．5μm／h。GaN外延膜的（0002）双晶X射线衍射峰回摆曲线的半高宽最窄为8arcmin，霍尔迁移率为50cm2／V．s。对质量好的GaN膜，室温阴极发光谱上只有一个强而锐的近带边发光峰，谱峰位于372nm处，谱峰半高宽为14nm（125meV）。
- 王晓亮孙殿照李晓兵黄运衡朱世荣曾一平李晋闽孔梅影林兰英
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- 氮化镓缓冲层的物理性质被引量：6
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- 用金属有机物气相外延（ Ｍ Ｏ Ｖ Ｐ Ｅ）方法在蓝宝石衬底上生长了不同厚度和不同退火过程的氮化镓（ Ｇａ Ｎ）缓冲层，以及在缓冲层上继续生长了 Ｇａ Ｎ 外延层．研究了这些缓冲层的结晶学、表面形貌和光学性质以及这些性质对 Ｇａ Ｎ 外延层的影响． 提出了一个模型以解释用 Ｍ Ｏ Ｖ Ｐ Ｅ 方法在蓝宝石衬底上生长 Ｇａ Ｎ
- 刘祥林汪连山陆大成王晓晖汪度林兰英
- 关键词：氮化镓缓冲层MOVPE
- Si衬底上无裂纹GaN膜的GSMBE生长
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- 罗木昌王晓亮刘宏新王雷李晋闽孙殿照曾一平林兰英
- 关键词：分子束外延氮化镓半导体材料
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- 采用气态Si<,2>H<,6>源和固态Ge源的国产分子束外延(MBE)系统生长了一个p-SiGe反常调制掺杂结构,变温Hall测量得出在室温下(290K)载流子(孔穴)的迁移率为113cm<'2>/Vs;在低温下(61K...
- 高斐黄大定李建平刘超孔梅影曾一平李晋闽林兰英
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- I_2分子团簇的制备及它的漫反射谱
- 1997年
- 近些年来,零维物理系统的研究已成为科学研究的一个热点。迄今,团簇方面的研究主要集中在离子团簇和共价团簇的研究上,所谓离子团簇和共价团簇即指团簇中的离子或原子是以离子键或共价键的方式结合。由于离子键和共价键的键能比较强,离子团簇和共价团簇中的离子和原子间的相互作用较强,它们间的距离不容易改变。因此,在这些团簇中有显著的量子尺寸效应,并可通过吸收带边的蓝移证实量子尺寸效应的存在。而对于由分子力结合的分子团簇,由于分子力相对较弱,分子团簇内分子间的距离可以发生变化。
- 林兆军王占国陈伟林兰英
- 关键词：分子团簇沸石
- 分子束外延Ⅲ族氮化物场效应晶体管材料
- 本文报道了使用NH<,3>-MBE技术和PA-MBE在C面蓝宝石上外延高质量GaN以及AlGaN/GaN二准电子气材料的结果.
- 孙殿照王晓亮胡国新王军喜刘宏新刘成海曾一平李晋闽林兰英
- 关键词：分子束外延GANALGAN/GAN半导体材料
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- GaN的MOVPE生长和m－i－n型蓝光LED的试制被引量：3
- 1996年
- 利用自行研制的常压ＭＯＶＰＥ设备和全部国产ＭＯ源，采用低温生长缓冲层技术，在蓝宝石（α－Ａｌ２Ｏ３）衬底上获得了高质量的ＧａＮ外延层。未掺杂的ＧａＮ外延层的室温电子迁移率已达１１４ｃｍ２／Ｖ．ｓ，载流于浓度为２×１０１８。７７Ｋ光致发光谱近带边发射峰波长为３６５ｎｍ，其线宽为４ＤｍｅＶ。Ｘ射线双晶衍射回摆曲线的线宽为３６０ａｒｃｓｅｃ。用Ｚｎ掺杂生长了绝缘的ｉ－ＧａＮ层。在此基础上研制了ｍ－ｉ－ｎ型ＧａＮ的ＬＥＤ，并在室温正向偏压下发出波长为４５５ｎｍ的蓝光。
- 陆大成刘祥林汪度王晓晖林兰英
- 关键词：蓝色发光二极管二极管
