-
张庆钊
-
-
- 所属机构:中国科学院微电子研究所
- 所在地区:北京市
- 研究方向:电子电信
- 发文基金:国家重点基础研究发展计划
相关作者
- 夏洋
- 作品数：501被引量：67H指数：5
- 供职机构：中国科学院微电子研究所
- 研究主题：原子层沉积 等离子体 氧化锌薄膜 SUB 共掺
- 李楠
- 作品数：133被引量：19H指数：3
- 供职机构：中国科学院微电子研究所
- 研究主题：原子层沉积 启辉 等离子体 电极 半导体制造技术
- 李勇滔
- 作品数：197被引量：22H指数：3
- 供职机构：中国科学院微电子研究所
- 研究主题：等离子体 SUB 硅衬底 射频电源 离子注入
- 席峰
- 作品数：27被引量：0H指数：0
- 供职机构：中国科学院微电子研究所
- 研究主题：启辉 电极 等离子体 等离子刻蚀 进气结构
- 卢维尔
- 作品数：119被引量：33H指数：4
- 供职机构：中国科学院微电子研究所
- 研究主题：原子层沉积 氧化锌薄膜 共掺 受主 掺杂
- 一种石墨烯表面选区改性加工方法及装置
- 本发明公开了一种石墨烯表面选区改性加工方法及装置，所述方法包括：用激光扫描衬底样片表面的预设区域，以提高所述预设区域覆盖的石墨烯薄膜材料表面的悬挂键数量；采用原子层沉积方法，在所述衬底样片表面进行薄膜沉积，以在所述预设区...
- 解婧屈芙蓉卢维尔李楠张庆钊夏洋
- 刻蚀系统机柜
- 1.本外观设计产品的名称：刻蚀系统机柜。;2.本外观设计产品的用途：用于中性粒子刻蚀系统、也可用于等离子刻蚀、去胶、清洗、沉积、注入、键合等带有预腔室结构的半导体工艺系统。;3.本外观设计的设计要点：外部形状。;4.最能...
- 席峰胡冬冬屈芙蓉刘训春李勇滔李楠张庆钊夏洋
- 一种用于进气结构的匀气盘
- 本发明涉及等离子刻蚀、淀积设备技术领域，具体涉及一种应用于等离子刻蚀、淀积设备的进气结构中的匀气盘。所述用于进气结构的匀气盘上分布若干小孔，所述小孔从所述匀气盘的中心到边缘按照由密到疏、由疏到密或由密到疏再到密的方式分布...
- 李楠席峰李勇滔张庆钊夏洋
- 文献传递
- 一种调节真空设备样品台角度的装置
- 本发明公开了一种调节真空设备样品台角度的装置，所述装置包括：底板法兰；固定杆；联轴器，所述联轴器与所述固定杆的另一端连接，且所述联轴器与样片台连接；支撑架；支撑法兰；丝杆法兰；滑块，所述滑块设置在丝杆法兰上，且所述滑块与...
- 郭晓龙张庆钊
- 文献传递
- 原子层沉积系统的开发与应用
- 夏洋李超波孙清清陈波万军李楠卢维尔解婧李勇滔张庆钊石莎莉屈芙蓉郭晓龙张柏诚冯嘉恒
- 研究目的：伴随集成电路（IC）的不断发展，器件尺寸发展到亚10nm，电子行为的量子力学特点越来越突出。这对于IC制造技术而言，不仅是传统意义上CMOS晶体管特征尺寸的持续缩小，更为重要的是新材料、新器件结构和新工艺的引入...
- 关键词：
- 关键词：量子力学半导体器件
- 一种平板电极固定结构
- 本发明公开了一种平板电极固定结构，属于等离子体刻蚀技术领域。所述平板电极固定结构包括绝缘支撑，绝缘支撑上设置有多个进气孔，上电极和下电极围绕进气孔均匀分布。绝缘支撑的厚度为5～1000mm。绝缘支撑由绝缘材料制成，绝缘材...
- 席峰李勇滔李楠张庆钊夏洋
- 文献传递
- 一种新型匀气结构
- 本发明涉及等离子刻蚀、淀积及中性粒子刻蚀设备技术领域，具体涉及一种应用于等离子体或中性粒子刻蚀系统的匀气结构。所述匀气结构设置在真空腔室的进气管的下方，所述匀气结构包括匀气筒，所述匀气筒采用中心同轴且相互旋转的内匀气筒和...
- 李楠席峰李勇滔张庆钊夏洋
- 文献传递
- 刻蚀系统工艺腔室
- 1.本外观设计产品的名称：刻蚀系统工艺腔室。;2.本外观设计产品的用途：用于中性粒子刻蚀系统、也可用于等离子刻蚀、去胶、清洗、沉积、注入、键合等带有预腔室结构的半导体工艺系统。;3.本外观设计的设计要点：外部形状。;4....
- 席峰胡冬冬屈芙蓉刘训春李勇滔李楠张庆钊夏洋
- 文献传递
- 产生中性粒子束的装置及方法
- 本发明公开了一种产生中性粒子束的装置，包括反应腔体、放置芯片的载片台、等离子源、上网板，所述上网板、等离子源和所述载片台设置在所述反应腔体内部，所述上网板设置在所述等离子源上方，所述等离子源和所述载片台之间依次设置有中网...
- 席峰李勇滔李楠张庆钊夏洋
- 硅栅干法刻蚀工艺中腔室表面附着物研究被引量：3
- 2007年
- 用Cl2,HBr,O2和CF4为反应气体,对多晶硅栅进行了刻蚀试验,并借助X射线能谱仪器En-ergy Dispersive X-ray Spectrometry(EDS)进行试验样品的化学成分测定和数据分析。结果表明,淀积附着物主要是以硅元素为主体,溴、氯和氧次之的聚合物,在淀积的动态过程中,HBr起到了主要的作用,Cl2和O2在一定程度上也促进了淀积过程的进行,在工艺过程中氟元素起到了清除淀积物的作用。最后通过试验得到了反应腔室表面附着物淀积的机理性结论。
- 张庆钊谢常青刘明李兵朱效立
- 关键词：等离子体干法刻蚀EDS
