搜索到178篇“ ZAO薄膜“的相关文章
- 经济型ZAO薄膜制备及其近红外光电性能
- 2024年
- 本文采用射频磁控溅射技术制备了ZnO:Al(ZAO)薄膜态透明电极,并配合WO_(3)电致变色薄膜、固态Li^(+)聚合物电解质和TiO_(2)对电极薄膜,封装成一种经济型电致变色器件。采用XRD、AFM、分光光度计和四探针测试仪表征ZAO薄膜的结构、形貌和光电性能,并采用直流稳压电源、分光光度计测试电致变色器件的变色性能。结果表明,所制ZAO薄膜沿(002)晶面择优取向,表面组织致密,当气压为1.0 Pa时,薄膜光电性能最佳,以此为透明导电层的电致变色器件可以循环着/褪色,近红外区的调制幅度大于可见光区,适用于节能窗。
- 王伟徐俊章彬郑文兴倪帅
- 关键词：透明导电薄膜电致变色器件经济型近红外
- 磁控溅射法制备ZAO薄膜的性能分析
- 2022年
- ZAO薄膜具有电导率高、光学透射率高的优点,且易掺杂、制备成本低廉,是ZnO基透明导电薄膜的重要研究方向。采用磁控溅射法制备ZAO薄膜,利用X射线衍射仪、场发射扫描电子显微镜、UV-8000型紫外-可见分光光度计和四探针测试仪等设备研究了Al掺杂量、衬底温度对ZAO薄膜结构、形貌、光电性能的影响。结果表明,ZAO薄膜晶粒均以c轴(002)方向为主择优取向生长,所有的ZAO薄膜均为纤锌矿结构,薄膜表面平整。随着Al掺杂量的升高,ZnO的(002)衍射峰强度逐渐减弱至消失。薄膜方块电阻随着衬底温度升高先减小后缓慢增大,其中衬底温度为200℃时,方块电阻约为3.64×106Ω/□,导电性最好。而且该薄膜具有较好的可见光范围内平均透过率,约为85%。
- 张宇
- 关键词：ZAO薄膜磁控溅射衬底温度透光率
- ZAO薄膜的制备方法及研究趋势被引量：1
- 2021年
- ZAO薄膜具有较高的可见光区透射率(T≥85%)、优良的导电性、微波强衰减性(衰减率≥80%),应用于伪装隐身技术、平板显示、太阳能电池、反射热镜、气体敏感器件、特殊功能窗口涂层等领域。制备ZAO薄膜的原料无毒无污染,储量丰富,成本低廉,制造工艺简单,且在等离子体中稳定性好,逐渐成为ITO的热门替代产品,尤其是在太阳能电池透明电极、平板显示器件领域。ZAO薄膜的制备方法主要有溶胶-凝胶法、化学气相沉积法、脉冲激光沉积法、喷雾热解法、磁控溅射法等,最后总结了ZAO的应用领域,并对ZAO薄膜的发展趋势进行了展望。
- 张宇
- 关键词：ZAO薄膜透明导电薄膜
- 射频反应磁控溅射生长ZAO薄膜的光电性质被引量：1
- 2019年
- 采用RF反应磁控溅射技术在不同制备条件下制备了Al掺杂ZnO薄膜(ZAO),研究了不同条件下ZAO薄膜的光电性质.结果表明,薄膜电阻主要由晶界电阻决定,且导电性随Ar∶O2中O2含量增加而减小.薄膜具有强烈的紫外吸收特性,带隙大多超过3.3 eV,可见光区的透明性大于80%,并且透过率和Eg随Ar∶O2中O2含量的增加而增加,薄膜在紫光区域具有较强的光致发光特性,掺铝使光发射峰增强并蓝移.
- 许飞朱江转陆慧罗锻斌谢海芬
- 关键词：ZAO薄膜磁控溅射基底温度光电性质
- 不同过渡层对PMMA基底沉积ZAO薄膜特性的影响被引量：1
- 2018年
- 采用磁控溅射技术,分别使用SiO_2、SiON、Al2O_3、AlON作为过渡层,在有机玻璃(PMMA)基底上制备了ZAO薄膜。利用紫外-可见光谱仪、X射线衍射仪(XRD)、原子力显微镜(AFM)和划痕仪对不同过渡层上制备的ZAO膜层的光电特性、薄膜结构、表面形貌及附着力进行了研究。结果表明,不同的过渡层对400~800nm波长范围内的光的透过率影响不大,在不同过渡层上制备的ZAO薄膜均展现了c轴择优取向。过渡层的添加不仅提高了ZAO薄膜的表面粗糙度和电阻,而且进一步提升了ZAO薄膜与PMMA基底的附着力。
- 郭婷婷孔林涛郭慧梅武永鑫
- 关键词：ZAO薄膜过渡层电阻率透过率附着力
- 柔性基ZAO薄膜的制备与研究
- 本文采用直流磁控溅射法在柔性衬底上制备了ZAO薄膜,并利用附着力测试仪、X射线衍射仪、扫描电子显微镜、四探针测试仪、紫外可见分光光度计等测试仪器表征薄膜性能。再通过研究氩气压强、溅射功率、溅射时间对薄膜性能的影响,获得最...
- 李姗
- 关键词：ZAO薄膜聚酰亚胺直流磁控溅射光电性能
- 文献传递
- 磁控溅射工艺参数对ZAO薄膜性能的影响被引量：2
- 2014年
- 通过磁控溅射氧化铝锌陶瓷靶材的方法在玻璃基片上制备ZAO薄膜,研究了溅射电流、溅射气压、基片温度对ZAO膜电学及光学性能的影响,使用X射线衍射仪分析了薄膜相结构,使用台阶仪测试薄膜厚度,使用四探针方阻仪测试薄膜电阻率,采用紫外可见分光光度计测试薄膜透过率。结果表明:溅射电流增加可以改善ZAO薄膜的透过率与电阻率;溅射气压对薄膜的结晶性和透过率影响不大,但电阻率会随溅射气压的增大而上升;基体温度升高可以提高AZO薄膜的透过率与电导率。
- 刘沅东张宁汤清琼余新平张至树
- 关键词：磁控溅射ZAO薄膜工艺参数电阻率透过率
- 氧掺杂对磁控溅射ZAO薄膜性能的影响
- 2014年
- 通过磁控溅射氧化铝锌陶瓷靶材的方法在玻璃基片上制备ZAO薄膜,研究了不同氧掺杂量对于ZAO膜电学及光学性能的影响,使用X射线衍射仪衍射分析了薄膜相结构,使用四探针方阻仪测试薄膜的方阻,采用紫外可见分光光度计测试薄膜透过率。结果表明:在通入较低氧分量时对ZAO薄膜结晶性能及光电性能没有太大的影响,但随着氧分量的增加ZAO薄膜性能急剧下降。
- 刘沅东张宁余新平张至树汤清琼
- 关键词：磁控溅射ZAO薄膜氧含量
- 原子力显微镜在ZAO薄膜表征中的应用
- 2013年
- 利用磁控溅射法在溅射功率分别为30,50,80,100W条件下制备ZAO薄膜,并通过原子力显微镜(AFM)、X射线衍射(XRD)谱对制得的薄膜样品进行表面形貌、结构特性和黏附性能进行研究。XRD结果表明,随着溅射功率的增加,ZAO薄膜呈现了明显的(002)择优取向,结晶质量获得提高。通过原子力显微镜对样品的二维、三维以及剖面线图进行分析。随着溅射功率增大,薄膜样品表面较均匀致密,晶粒生长较充分,结晶质量较高,粗糙度和黏附力均增大。
- 杨英歌卢一民王新如李小波
- 关键词：ZAO薄膜射频磁控溅射原子力显微镜
- 磁控溅射法制备BN薄膜结构和ZAO/BN/ZAO薄膜电性能研究
- BN和掺铝ZnO(ZAO)同为宽禁带化合物半导体材料，两者均具有特殊的光、电特性，在透明导电、发光二极管、声表面波、压敏电阻、压电等领域有着广泛的应用前景，两者相结合有望构建出性能更为独特的电子元器件。本研究以BN及ZA...
- 祁婷
- 关键词：磁控溅射法电性能伏安特性
- 文献传递
相关作者
- 张弓
- 作品数：175被引量：522H指数：12
- 供职机构：清华大学
- 研究主题：磁控溅射 太阳能电池 铜铟镓硒 CIGS 电阻率
- 庄大明
- 作品数：207被引量：753H指数：16
- 供职机构：清华大学
- 研究主题：磁控溅射 太阳能电池 铜铟镓硒 CIGS 靶材
- 付恩刚
- 作品数：11被引量：80H指数：5
- 供职机构：清华大学
- 研究主题：ZAO薄膜 磁控溅射 电阻率 透过率 绒面
- 闻立时
- 作品数：323被引量：1,409H指数：19
- 供职机构：中国科学院金属研究所
- 研究主题：电弧离子镀 磁控溅射 脉冲偏压 靶材 脉冲偏压电弧离子镀
- 马勇
- 作品数：82被引量：247H指数：7
- 供职机构：重庆大学
- 研究主题：黑洞 ZNO WO ZNO薄膜 ZAO薄膜
