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- 一种包括pn结二极管的半导体装置及其制造方法。所述装置包括具有第一导电类型的半导体衬底。所述装置还包括定位在所述衬底中的埋入式氧化物层。所述装置另外包括具有第二导电类型的半导体区域，所述半导体区域在所述埋入式氧化物层下方...
- 维特·桑·迪恩马里纳·弗劳贝尔保罗·亚历山大·格鲁多斯基
- 一种p-Ga<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>/n-Ga<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB> pn结二极管及制备方法
- 本发明公开了一种p‑Ga<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>/n‑Ga<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>pn结二极管及制备方法，解决氧化镓p型掺杂困难，异质结二极管漏电流大和耐压低的问题。本...
- 董鹏飞吴洁琳周弘张进成张苇杭刘志宏岳红庆
- 一种基于传输线理论的pn结二极管小信号模型
- 2024年
- 为了精确表征毫米波频段pn结二极管的特性,提出了一种基于传输线理论的pn结二极管小信号模型。该模型包括表征pn结的本征部分和寄生部分。以量化的pn结耗尽区串联电阻作为中间项,通过非线性传输线理论近似方法,推导出全新的pn结二极管小信号模型的拓扑结构。通过导纳参数和阻抗参数的参数解析提取方法,提取等效电路中各元件参数值。使用某磷化铟(InP)工艺线加工所得2×3μm、8×8μm、4×16μm二极管的散射参数数据进行验证。结果表明,在1~110 GHz频率范围内,不同偏压的模型仿真结果与测试结果均吻合较好,同时也能表明模型在毫米波频段内有良好的适用性。
- 李翔刘军
- 关键词：毫米波频段PN结传输线理论
- pn结二极管
- 提供即使在采取简单的结构的情况下也能够兼顾低开启电压的实现与漏电流的抑制的pn结二极管。作为一实施方式，提供pn结二极管(1)，具备：n型半导体层(11)，其包括具有(Ga<Sub>x</Sub>Al<Sub>y</Su...
- 高冢章夫佐佐木公平
- 一种NiO/GaN半垂直PN结二极管及其制备方法
- 本发明涉及一种NiO/GaN半垂直PN结二极管及制备方法，属于半导体器件技术领域，解决了现有技术中技术难度高、工艺复杂、成本高的问题。二极管自下而上包括衬底、高掺杂浓度N型氮化镓层、低掺杂浓度N型氮化镓层、低空穴浓度氧化...
- 刘志藤郑英奎康玄武
- 一种氧化镍/氧化镓异质PN结二极管及制备方法
- 本发明涉及一种氧化镍/氧化镓异质PN结二极管及制备方法，制备方法包括：在氧化镓衬底的第一表面制备氧化镓漂移层；在氧化镓衬底的第二表面制备阴极金属层；在氧化镓漂移层的表面制备第一P型氧化镍层；在活性氧原子环境中对第一P型氧...
- 张春福刘丁赫张泽雨林张进成郝跃
- 一种基于具有笼目晶格结构Nb<Sub>3</Sub>Cl<Sub>8</Sub>单层的超薄PN结二极管整流器
- 本发明公开了一种具有笼目晶格结构Nb<Sub>3</Sub>Cl<Sub>8</Sub>单层的超薄PN结二极管整流器，属于纳米尺度电子器件技术领域。本发明的技术方案要点为：一种基于具有笼目晶格结构Nb<Sub>3</Su...
- 安义鹏樊晓筝李帅丁鹏元朱明甫武大鹏尹少骞胡艳春尚军徐国亮
- 一种具有良好p型欧姆接触的pn结二极管及其制备方法
- 本申请实施例涉及半导体器件技术领域，特别涉及一种具有良好p型欧姆接触的pn结二极管及其制备方法，包括：衬底、n型掺杂的合金氮化物层、p型掺杂的合金氮化物层和p型掺杂的氮化物层；p型掺杂的氮化物层位于p型掺杂的合金氮化物层...
- 赵胜雷吴风张进成宋秀峰南继澳张嘎王浩宇郝跃
- 一种基于MnBi<Sub>2</Sub>Te<Sub>4</Sub>单层的纳米尺度PN结二极管整流器
- 本发明公开了一种基于MnBi<Sub>2</Sub>Te<Sub>4</Sub>单层的纳米尺度PN结二极管整流器，属于纳米尺度电子器件技术领域。本发明的技术方案要点为：一种基于MnBi<Sub>2</Sub>Te<Sub...
- 安义鹏朱明甫武大鹏马传琦刘尚鑫康军帅焦照勇贾光瑞董晓
- 一种极化斜边终端结构的GaN基pn结二极管器件及其制作方法
- 本发明涉及一种极化斜边终端结构的GaN基pn结二极管器件及其制作方法。器件包括阴极、GaN衬底、外延层以及阳极；所述外延层包括一次外延生长的n型轻掺杂GaN层、本征GaN层和p型掺杂GaN层；所述阳极欧姆接触金属置于p型...
- 刘扬刘振兴
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- 许晟瑞
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- 赵胜雷
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