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用于GaN CMOS集成技术的p型GaN欧姆接触研究: 2024年; 通过金属叠层结构、蒸发-合金工艺条件的优化调整,实现了低接触电阻率、高稳定的p型GaN欧姆接触技术,并研究分析了电极金属在合金过程中的扩散行为。测试结果显示,改进后的p型GaN欧姆接触电阻为11.9Ω·mm,比导通电阻率为3.9×10^(-5)Ω·cm^(2),同时在250℃以内的高温环境中欧姆特性不会发生退化。在此基础上,采用低损伤凹槽栅刻蚀、叠层栅介质沉积等工艺研制出增强型p沟道GaN晶体管器件,器件的阈值电压为-1.2 V(V_(GS)=VDS,IDS=10μA/mm),漏极电流密度为-5.6 mA/mm,导通电阻为665Ω·mm(V_(GS)=-8 V,V_(DS)=-2 V)。优异的p型GaN欧姆接触技术为高性能GaN p沟道器件的研制以及GaN CMOS集成技术的小型化、智能化、高速化发展奠定了重要基础。; 潘传奇王登贵周建军胡壮壮严张哲郁鑫鑫李忠辉李忠辉; 关键词：P型GAN 欧姆接触

高掺杂低位错p型GaN材料生长研究: 2024年; 对采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)法在SiC衬底上生长的p型GaN材料进行了研究。p型GaN材料通常采用Mg掺杂来实现,但Mg有效掺杂量的增加会导致材料的空穴浓度提高,表面粗糙度变大、位错密度增加。采用Delta掺杂方式,在Cp_(2)Mg通入量一定的情况下,通过对温度、压力以及Delta掺杂过程中TMGa通入时间的调控实现了对p型GaN材料掺杂浓度与表面粗糙度和位错密度之间的平衡优化。结果显示,生长温度1150℃、生长压力400 mbar(1 mbar=100 Pa)、TMGa通入时间40 s的样品均方根表面粗糙度为0.643 nm,(002)晶面半高宽(FWHM)为176.8 arcsec,空穴迁移率为11.8 cm^(2)/(V·s),空穴浓度为1.02×10^(18)cm^(-3),实现了电学性能与晶体质量的平衡。; 高楠房玉龙王波韩颖张志荣尹甲运刘超; 关键词：P型GAN

质子辐照嬗变掺杂制备p型氧化镓的仿真研究: 2024年; 超宽禁带半导体氧化镓是当前半导体领域研究的热点材料,但采用常规的掺杂工艺尚未在大块晶体上实现其p型掺杂,这阻碍了其应用。质子辐照嬗变掺杂是利用高能质子与靶材料核反应所产生的嬗变产物实现掺杂的方法。多种嬗变产物具有不同的掺杂效果,有望通过多种掺杂元素的库仑耦合效应实现氧化镓的p型掺杂。本文利用带电粒子反应的蒙特卡罗软件FLUKA对100 MeV质子辐照氧化镓嬗变掺杂开展仿真分析。结果表明,辐照冷却100 d后,活化活度下降约4个数量级,嬗变产物元素浓度趋于稳定。分析不同掺杂类型的嬗变产物元素浓度,表明质子辐照嬗变能形成净p型掺杂。在靶材料不同深度处的净p型掺杂浓度有所差异,在0.60~0.90 cm深度处净p型掺杂浓度最大,每1016 cm^(-2)辐照注量下可达4.26×10^(14) cm^(-3)。与40 MeV质子辐照和快中子辐照嬗变的掺杂相比,100 MeV质子辐照嬗变掺杂效率更高。; 单梓扬焦学胜袁大庆; 关键词：氧化镓 P型掺杂质子辐照

以煤矸石为原料制备P型沸石微粉的研究: 2024年; 基于煤矸石利用率较低的现状和煤矸石富含硅铝成分的特征,提出了将煤矸石废弃物制备成沸石分子筛矿物微粉的思路。以七台河市煤矸石为原材料,采用碱融-水热法合成P型沸石分子筛微粉末,探讨了陈化温度、液固比、碱固比等反应条件对P型分子筛形貌的影响,获得最佳工艺条件为:硅铝比为1∶1,陈化温度为50℃,液固比为7∶1,碱固比为0.8∶1。SEM测试结果显示,合成产物的微观形貌为粒径6μm左右的球形沸石分子筛。XRD测试结果表明,产物特征峰与NaP型分子筛标准特征峰相吻合。; 张玥陈越丁会敏唐诗洋张宇; 关键词：工业固废煤矸石 P型分子筛

β-Ga_(2)O_(3)的p型掺杂研究进展被引量：1: 2024年; β-Ga_(2)O_(3)具有超宽禁带宽度、高击穿场强、较高的巴利加优值等优点使其成为一种新兴半导体材料,在高功率电子器件、气体传感器、日盲紫外探测器等方面有着极大的应用潜力,但p型掺杂难的问题成为了β-Ga_(2)O_(3)发展的巨大障碍。本文首先简要概述了β-Ga_(2)O_(3)的优点,并介绍了其晶体结构和基本性质。其次,说明了β-Ga_(2)O_(3)的本征缺陷,尤其是氧空位对导电性能的影响。然后,详细讨论了β-Ga_(2)O_(3) p型掺杂的研究现状,包括p型掺杂困难的原因和N掺杂、Mg掺杂、Zn掺杂、其他受主元素掺杂、两种元素共掺杂以及其他方法。最后,总结并对β-Ga_(2)O_(3)未来的发展进行了展望。; 何俊洁矫淑杰聂伊尹高世勇王东博王金忠; 关键词：本征缺陷 P型掺杂宽禁带半导体半导体

粉煤灰基P型沸石吸附水中Cu^(2+)和Cd^(2+): 2024年; 以粉煤灰(FA)为原料经水热反应合成了P型沸石(Z-P).采用X射线荧光光谱仪、X射线衍射仪、场发射环境扫描电子显微镜、比表面孔径分析仪、傅里叶变换红外光谱仪和X射线光电子能谱对Z-P进行表征,并研究了其对Cu^(2+)和Cd^(2+)的吸附性能.结果表明,Z-P的BET比表面积和孔隙体积分别为38.46m^(2)/g和0.2180cm^(3)/g,均高于FA的1.273m^(2)/g和0.0120cm^(3)/g.FA、Z-P对Cu^(2+)和Cd^(2+)的吸附更符合拟二级动力学模型和Langmuir等温线模型.Z-P对Cu^(2+)和Cd^(2+)的最大吸附量分别为157.48,131.57mg/g,远高于于FA的30.88,25.47mg/g.Z-P对Cd^(2+)的循环再生吸附效果好,但对Cu^(2+)的循环再生吸附效果较差.离子强度对Z-P吸附Cu^(2+)和Cd^(2+)分别起促进和抑制作用.表明Z-P可以作为有效且廉价的Cu^(2+)、Cd^(2+)吸附剂,为FA的资源化利用和含Cu^(2+)、Cd^(2+)重金属离子废水吸附剂的开发提供了一种方法.; 孙昊勇汪泽华姚亦扬吴代赦; 关键词：粉煤灰 P型沸石

用于ESD保护的包括位于n型深阱上方并位于一对p型阱之间的n型阱的结构: 本公开提供了一种用于静电放电(ESD)保护的结构，该结构包括位于n型深阱上方并位于一对p型阱之间的n型阱。该结构可以包括位于衬底上方的p型深阱、位于p型深阱上方的第一n型阱，以及位于p型深阱上方的一对p型阱。该对p型阱分...; S·P·卡拉卡尔E·G·盖布里斯莱希R·克里希纳萨米R·J·小戈捷S·米特拉

P型覆盖层生长温度和厚度对LED可靠性的研究: 2024年; 随着半导体材料的不断发展,以Ⅲ族氮化物为代表的第三代半导体材料GaN具有宽禁带,高熔点,高电子迁移率,高击穿场强以及高热导率等优越特性。广泛应用于高亮度发光二极管(LED)、激光二极管、太阳能电池以及高温、高频和高功率电子器件制造等领域。GaN基发光二极管(LED)市场的高速增长,对LED产品的质量要求越来越高,目前由于晶格失配、膜层应力、穿透位错或缺陷等因素的影响,会在外延结构的MQW多量子阱层中形成V-pits缺陷,V-pits在一定程度上可以抑制载流子非辐射复合,提升发光效率。但是如果单方面追求V-pits,会导致P型覆盖层(本文提到的P型覆盖层含P-GaN和P-AlGaN)很难将其填充好,容易导致外延结构出现反向漏电的情况,进一步影响器件的抗静电能力。因此本文主要研究P型覆盖层的生长条件对LED器件可靠性的影响,从P型覆盖层的生长温度和生长厚度两方面来展开讨论。; 张文燕; 关键词：可靠性

p型SiC粉料合成及晶体生长的研究: 目前功率半导体器件的发展受制于Si材料性能的限制,SiC作为宽禁带半导体材料之一,拥有禁带宽度大、临界击穿电场强度高、高饱和载流子漂移速率、热稳定性强等优点,特别适合制作功率半导体器件。SiC功率半导体器件的发展引领了电...; 刘楚; 关键词：SIC单晶 P型掺杂晶体生长

具有槽型栅和平面栅双沟道P型漂移区反型型的LDMOS结构及其制备方法: 本发明公开了一种具有槽型栅和平面栅双沟道P型漂移区反型型LDMOS结构及其制备方法，主要解决现有技术器件关断特性和导通电阻两者之间的矛盾关系。其包括：P型衬底、N型漂移区、P型基区、N+漏区、积累介质层、顶层硅、源极、漏...; 段宝兴任宇壕唐春萍杨银堂

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