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极性、半极性和非极性InN薄膜的MOCVD外延生长与表征: 2024年; 利用金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)技术,在不同晶面的蓝宝石(Al2O3)衬底上实现了极性(0002)面、半极性(11-22)面和非极性(11-20)面InN薄膜的外延生长,并通过多种表征手段对三个不同极性面InN薄膜的结构和光学特性进行了系统研究。X射线衍射(XRD)曲线展示了(0002)、(11-22)和(11-20)面InN较强的衍射峰,表明InN薄膜具有较高的成膜质量。通过扫描电子显微镜(SEM)表面图发现,极性(0002)面InN的表面形貌较光滑,而半极性和非极性InN表面均存在未完全合并的孔洞。光致发光(PL)光谱展示,不同极性面InN的峰值能量在0.63 eV附近,并从极性、半极性到非极性逐渐红移。此外,可见-红外分光光度计测得的透射谱显示,极性(0002)面InN的吸收边约为0.85 eV,而半极性(11-22)面和非极性(11-20)面InN的吸收边约为0.78 eV,表明极性InN具有更大的斯托克斯位移。; 赵见国殷瑞徐儒倪海彬陶涛庄喆严羽谢自力刘斌常建华; 关键词：INN薄膜

不同极性InN薄膜外延及InGaN近红外LED仿真研究: 具有窄直接带隙的InN材料具有优异的温度稳定性和抗辐射性能，特别是通过InGaN三元合金的组分调节，可将其发光波长调到1550 nm，因而在近红外光通信领域具有巨大的应用潜力。但是由于不同极性氮化物的外延及材料特性具有一...; 胡逸凡; 关键词：光学特性

MOCVD外延生长InN薄膜及其光学性质研究: 2023年; 本文通过添加InGaN垫层,利用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法在GaN(0001)上外延生长了InN薄膜,研究了InN薄膜的外延规律及光学性质。研究发现,相对于GaN表面,在InGaN垫层上可以获得更高质量的InN。通过在InGaN垫层中采用适当的In组分(在本工作中为In_(0.23)Ga_(0.77)N),可以完全抑制InN生长过程中铟滴的形成,获得的InN表面形貌连续平整。采用光学显微镜、高分辨率X射线衍射(HR-XRD)、透射电子显微镜(TEM)、光吸收和室温光致发光等方法研究了InN的晶体结构和光学性质。HR-XRD的ω和ω-2θ扫描显示,InGaN垫层消除了In滴的衍射信号,并且ω扫描给出了150 nm的InN薄膜的(0002)半峰全宽为0.23°。TEM选区电子衍射发现,InN几乎是无应变的。室温下InN薄膜的光吸收和强光致发光结果表明,所制备的InN薄膜能带隙约为0.74 eV。本文还初步研究了InN的异常激发依赖性的光致发光行为,证明了InN材料的表面效应对辐射复合的强烈作用。; 殷鑫燕陈鹏梁子彤赵红; 关键词：INN MOCVD 光学性质光致发光

一种在SiC衬底上形成InN薄膜的方法: 本发明涉及一种在SiC衬底上形成InN薄膜的方法。该方法采用化学性质和物理性质相对稳定的SiC作为衬底，并在其表面形成SiN缓冲层后，通过电子回旋共振‑等离子体增强金属有机物化学气相沉积(ECR‑PEMOCVD)在较低温...; 陈素春徐良余雅俊占俊杰孟秀清阳明益

蓝宝石衬底上InN薄膜优化生长研究: 半导体科学技术的进步影响着信息科技的发展，推动着人类文明的前进。人类文明的发展会带来新的需求，促进新产业的出现，这就对创新型材料提出了更高要求，半导体材料的发展与进步正是在这一大背景下演化而来。Ⅲ-Ⅴ族半导体是近些年人们...; 王成; 关键词：分子束外延射频等离子体

一种在SiC衬底上形成InN薄膜的方法: 本发明涉及一种在SiC衬底上形成InN薄膜的方法。该方法采用化学性质和物理性质相对稳定的SiC作为衬底，并在其表面形成SiN缓冲层后，通过电子回旋共振‑等离子体增强金属有机物化学气相沉积(ECR‑PEMOCVD)在较低温...; 陈素春徐良余雅俊占俊杰孟秀清阳明益; 文献传递

自支撑金刚石衬底上InN薄膜的ECR-PEMOCVD法生长研究: 氮化铟(InN)做为一种窄带隙(0.7 eV)Ⅲ族氮化物,在光学性能上它的发光波长可达1.55μm,电学性能上它的低场迁移率为3200 cm/V·s,尖峰速率为4.3×10cm/s。因此在近红外光谱到深紫外光谱的光电器件...; 王帅杰; 关键词：INN薄膜 ECR-PEMOCVD

氮气流量对磁控溅射InN薄膜特性的影响被引量：1: 2021年; 采用射频磁控溅射法在蓝宝石衬底上制备了InN薄膜.研究了N2流量对InN薄膜的晶体结构、表面形貌、光学和电学特性的影响.X射线衍射(XRD)测试结果显示,InN呈六方纤锌矿结构,具有明显(002)择优取向;SEM与AFM图像显示InN薄膜均匀致密,低N2流量下随流量增加,表面逐渐趋于光滑平整,过高的N2流量使薄膜生长方式发生改变;通过检测薄膜吸收特性,利用线性外推法计算禁带宽度为1.81~1.96 e V;电学测试结果表明,制备的薄膜样品均呈现n型导电特性,且迁移率较低,最大为12.2cm^(2)/v·s;载流子浓度较高,保持在10^(21)cm^(-3)数量级;电阻率较小,范围是0.202~0.33 mΩ·cm.; 杨非凡付宏远樊义棒任煜豪李静杰赵洋甄志强王辉; 关键词：磁控溅射 INN薄膜

氮气体积分数对ITO上制备InN薄膜物理特性的影响: 2020年; 采用磁控溅射法在氧化铟锡(ITO)导电玻璃衬底上制备InN薄膜,研究了氮气体积分数对InN薄膜晶体结构、表面形貌和光电特性的影响。X射线衍射测试结果表明,所制备的InN薄膜均为六方纤锌矿结构,且随着氮气体积分数的增加,InN薄膜由沿(101)面择优生长逐渐变为沿(002)面择优生长。原子力显微镜结果表明,随着氮气体积分数的增加,InN薄膜表面粗糙度逐渐减小。此外,通过光致发光谱和光学吸收谱测得氮气体积分数为100%时制备的InN薄膜禁带宽度分别为1.45 eV和1.47 eV。霍尔测试结果表明,InN薄膜均呈现n型导电特性,且随着氮气体积分数的增加,其迁移率由4.57 cm2·V-1·s-1增加至12.2 cm2·V-1·s-1,载流子浓度由8.498×1021 cm-3减小至2.041×1021 cm-3,电阻率由16.08×10-4Ω·cm减小至2.118×10-4Ω·cm。该研究为InN在高效太阳电池及发光器件领域的应用提供有益的参考。; 张子旭王婉君樊义棒高薇耿柏琳王辉赵洋; 关键词：INN薄膜物理特性

一种以In2O3为靶材制备InN薄膜材料的方法: 本发明公开了一种InN薄膜的制备方法，包括以下步骤，用丙酮、四氯化碳、无水乙醇和去离子水清洗硅片；清洗后的硅片进行磁控溅射沉积InN薄膜。本发明研究首次采用In2O3靶，在溅射...; 王雪文张繁吴朝科翟春雪张志勇赵武张远; 文献传递

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