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GESI/SI NANOSTRUCTURE FORMATION BY GE ION IMPLANTATION IN (100) SILICON WAFER: IN THIS WORK, TWO KINDS OF THERMAL ANNEALING METHODS WERE USED TO PROCESS THE SILICON WAFER BY GE ION BOMBARDM...; 文献传递网络资源链接

GeSi/Si共振隧穿二极管被引量：1: 2008年; GeSi/Si共振隧穿二极管主要包括空穴型GeSi/SiRTD、应力型GeSi/SiRTD和GeSi/Si带间共振隧穿二极管三种结构。着重讨论了后两种GeSi/Si基RTD结构;指出GeSi/Si异质结的能带偏差主要发生在二者价带之间(即ΔEv>ΔEc),形成的电子势阱很浅,因此适用于空穴型RTD的研制;n型带内RTD只有通过应力Si或应力GeSi来实现,这种应力型RTD为带内RTD的主要结构;而带间GeSi/SiRITD则将成为更有应用前景的、性能较好的GeSi/SiRTD器件结构。; 郭维廉; 关键词：材料结构

1．3μm GeSi/Si异质结波导光栅耦合器的设计: 2008年; 分析了导模-辐射模耦合理论和利用经塔米尔的传输回路方法论改造过的扰动理论进行解析的结果。根据上述理论对1.3μm GeSi/Si异质结波导光栅耦合器波导层的厚度、槽形、长度、宽度、周期、槽深等做了近似的设计。; 徐勤昌刘淑平; 关键词：光栅耦合器

GeSi/Si异质结光波导光栅耦合器的设计与模拟: 2008年; GeSi/Si异质结光波导是硅基光电集成(OEIC)领域一种重要的连接器件,研究其光的输入耦合,提高耦合效率有着重要的意义。通过分析导模—辐射模的耦合理论求得光栅耦合器的辐射损耗系数,设计分析了波导层厚度为2500 nm,入射波长为1300 nm的单模Ge0.05Si0.95/Si异质结波导光栅耦合器的周期、长度和槽深,得出从空气中输入角为75°(从衬底中入射角为16°)时,周期为0.512μm,槽宽为0.256μm,光栅长度为2.3 mm,从空气侧输入时耦合效率为22.5%,从衬底输入时耦合效率为46.3%,并对其输入、输出光场进行了数值模拟。; 徐勤昌刘淑平; 关键词：光电集成光栅耦合器

Design and Manufacture of GeSi/Si Superlattice Nanocrystalline Photodetector: 2006年; According to Maxwell’s theory, the optical transmission characteristics in GeSi/Si superlattice nanocrystalline layer have been analyzed and calculated. The calculated result shows that when the total thickness L is 340nm, the single mode lightwave can be transmitted only at periodic number M≥15.5. In addition, at the direction of transmission, when the transmission distance is larger than 500μm, the lightwave intensity is decreased greatly. Based on the above parameters, the design and manufacture of GeSi/Si superlattice nanocrystalline photodetector are carried out.; LIU Shu-ping JIA Yue-hu; 关键词：GESI/SI PHOTODETECTOR

GeSi/Si应变层超晶格的特性研究: 该文从理论上分析了由于应力作用而使Ge<,x>Si<,1-x>超晶具有的特殊性质.及其对超晶格能带的影响,表明在应变层超晶格中,Ge<,x>Si<,1-x>的带隙比没有应变时相同体合金的带隙降低很多,从而说明了为什么Ge...; 李仁全; 关键词：应变层超晶格折射率; 文献传递

GeSi/Si多层异质外延载流子浓度的分布被引量：3: 2001年; 通过实验确定了一种与 Gex Si1 - x合金表面具有良好电化学界面的电解液 ,利用电化学 C- V方法研究了多层Gex Si1 - x/ Si异质外延材料的载流子浓度纵向分布 .实验结果表明 :采用这种电解液 ,利用电化学 C- V载流子浓度纵向分布测量仪检测 Gex Si1 - x/ Si异质材料的载流子浓度纵向分布 ,重复性好。; 张秀兰朱文珍黄大定; 关键词：电解液硅化锗载流子浓度

SOI及GeSi/Si脊形光波导的模式与波导几何结构被引量：13: 2001年; 用有效折射率方法对SOI(绝缘体上硅 )及GeSi Si脊形光波导的单模条件进行了模拟 ,与Soref的单模条件进行了比较 ,将两者与实验结果进行了比较 ,得到了与实验结果符合得非常好的单模条件。同时对多模波导进行了模拟。; 魏红振余金中张小峰韩伟华刘忠立王启明史伟房昌水; 关键词：集成光学脊形光波导 SOI GESI/SI

GeSi/Si异质结红外摄像器被引量：1: 2000年; 论述了单片 5 12× 5 12像素的 Ge Si/Si异质结红外摄像器。它的工作原理和 Pt Si/Si肖特基势垒红外摄像器一样。制造 Ge Si/Si异质结采用分子束外延法 ,在 Si片上生长 Ge Si膜。该膜有理想的应力。文章评价了 Ge成份、掺杂浓度、Ge Si膜厚和光谱响应的关系。研究表明器件的最佳工作波长为 8～ 12μm。; 贾正根; 关键词：肖特基势垒

GeSi/Si异质结红外探测器结构参数设计: 2000年; 文章对分子束外延的GeSi/Si异质结红外探测器关键参数进行了分析研究 ,采用经典理论对器件结构参数进行了计算 ,结果与实验数据吻合。; 闫应星高新江; 关键词：红外探测器异质结硅

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