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GaN基激光器及提高GaN基激光器光束质量的方法
本申请公开了一种GaN基激光器及提高GaN基激光器光束质量的方法。该激光器包括第一光学限制层、第一波导层、有源区、第二波导层、第二光学限制层、接触层、绝缘介质层，该接触层、第二光学限制层和部分的第二波导层配合形成脊型结构...
张书明冯美鑫孙钱
一种GaN基激光器及其制备方法
本发明涉及一种激光器，所述激光器至少包括量子阱有源区以及下波导层，所述量子阱有源区与所述下波导层之间设置有应力释放层，所述量子阱有源区具有三维形貌。所述激光器通过在量子阱有源区生长前，加入应力释放结构，以此降低生长量子阱...
王国斌王阳
一种GaN基激光器外延结构
本实用新型公开了一种GaN基激光器外延结构，该外延结构包括由下到上依次层叠的GaN衬底、第一N型发光层、P型欧姆接触层、第二N型发光层和电子供给层。与现有技术相比，本实用新型可以通过NPN结构层实现双向发光层，减少内损耗...
钟玉煌潘华张海涛
一种GaN基激光器外延结构
本发明公开了一种GaN基激光器外延结构，该外延结构包括由下到上依次层叠的GaN衬底、第一N型发光层、P型欧姆接触层、第二N型发光层和电子供给层。与现有技术相比，本发明可以通过NPN结构层实现双向发光层，减少内损耗，从而提...
钟玉煌潘华张海涛
一种GaN基激光器及其制备方法
本发明涉及一种激光器，所述激光器至少包括量子阱有源区以及下波导层，所述量子阱有源区与所述下波导层之间设置有应力释放层，所述量子阱有源区具有三维形貌。所述激光器通过在量子阱有源区生长前，加入应力释放结构，以此降低生长量子阱...
王国斌 王阳
一种GaN基激光器非吸收腔面结构的制备方法
本发明公开一种GaN基激光器非吸收腔面结构的制备方法，属于半导体激光器芯片制作工艺。本发明在镀p型电极前通过刻蚀将脊型区隔为注入区和窗口区，形成电学隔离。然后使用时在窗口区施加反向偏压，注入区施加正常工作时的正向偏压，形...
陈焕卿李曙琨雷孟铼于果郎睿李俊超胡晓东
一种GaN基激光器非吸收腔面结构的制备方法
本发明公开一种GaN基激光器非吸收腔面结构的制备方法，属于半导体激光器芯片制作工艺。本发明在镀p型电极前通过刻蚀将脊型区隔为注入区和窗口区，形成电学隔离。然后使用时在窗口区施加反向偏压，注入区施加正常工作时的正向偏压，形...
陈焕卿李曙琨雷孟铼于果郎睿李俊超胡晓东
一种GaN基激光器和AlGaN/GaN HEMT集成器件制备方法
本发明提供一种GaN基激光器和AlGaN/GaN HEMT集成器件制备方法，包括：S1：在GaN基激光器衬底层上制备GaN基激光器、在第一衬底上制备第一AlGaN/GaN HEMT外延片；S2：通过干法刻蚀的方式顺序刻蚀...
田朋飞闫春辉林润泽方志来张国旗
文献传递
含有分步掺杂下波导层的GaN基激光器及其制备方法
一种含有分步掺杂下波导层的GaN基激光器及其制备方法，所述含有分步掺杂下波导层的GaN基激光器由下至上依次包括：N型电极、衬底、下限制层、分步掺杂下波导层、有源区、上波导层、电子阻挡层、上限制层、欧姆接触层和P型电极；其...
侯玉菲赵德刚梁锋
文献传递
GaN基激光器的研究进展被引量：7
2020年
GaN材料作为第三代半导体材料具有十分独特的性能,其发光波段可以覆盖从红外到深紫外波段。GaN材料击穿电场强、发光效率高,使其在显示、照明、通信等领域具有非常广泛的应用。综述了GaN基激光器的发展历程及其失效和退化机制的研究进展。目前最新的蓝光GaN基激光器在3 A电流连续工作时的电压和输出功率为4.03 V和5.25 W;最新的绿光激光器波长为532 nm,在电流1.6 A时,输出功率为1.19 W。进一步阐述了GaN基激光器退化的主要表现,即随着工作时间的延长,激光器发光效率降低、光转化效率降低以及电压升高。总结了四种主要的退化模式,分别为封装退化、静电损伤、腔面退化和芯片失效。
张洋徐鹏
关键词：GAN激光二极管LED半导体激光器
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赵德刚
作品数：286被引量：269H指数：9
供职机构：中国科学院半导体研究所
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张书明
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供职机构：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
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胡晓东
作品数：87被引量：108H指数：6
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张立群
作品数：49被引量：27H指数：3
供职机构：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
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