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一种表贴电感的饱和电流测试工装: 本实用新型公开了一种表贴电感的饱和电流测试工装，包括底板、立柱板和自锁挤压机构，底板上设置有横向凹槽，横向凹槽两侧滑动连接有两根连接导电条，两根连接导电条外端设置竖直的接线柱，立柱板固定连接在底板上且位于横向凹槽后侧，自...; 邹永应陈清川李青潘辉戴正立

一种高饱和电流的SiC MOSFET及制备方法: 一种高饱和电流的SiC MOSFET及制备方法。涉及半导体技术领域。包括如下步骤：S100，在SiC Sub层的顶面通过外延沉积形成SiC Drift层，并在SiC Drift层内依次形成N区和Pwell区；S200，在...; 王正杨程裘俊庆万胜堂王坤王毅

一种小尺寸、高饱和电流的电感及其生产工艺: 本申请涉及电感制备技术领域，具体公开了一种小尺寸、高饱和电流的电感及其生产工艺；一种小尺寸、高饱和电流的电感，包括磁芯、绕制铜线和绝缘漆，所述磁芯包括以下重量份的原料：金属磁粉50‑70份，粘结剂1‑3份，润滑剂1‑3份...; 田林李全章武卫锋卢亚平

具有低导通压降与饱和电流的IGBT功率器件: 本发明属于半导体功率器件技术领域，提供一种具有低导通压降与饱和电流的IGBT功率器件，创造性的提出新型沟槽集成结构，能够实现低饱和电流密度和低开态电压降，低的饱和电流密度可以增强器件的短路能力，低的开态电压降可以减小器件...; 陈鑫阳艾昭宇孔谋夫孟繁新杨洪强

饱和电流非对称的氮化镓射频肖特基二极管及其制造方法: 本发明公开了饱和电流非对称的氮化镓射频肖特基二极管及其制造方法，属于微电子技术领域。本发明的肖特基二极管从下而上依次包括：衬底、GaN缓冲层、GaN沟道层、AlN插入层和本征AlGaN势垒层；本征AlGaN势垒层上设有欧...; 李秋璇李杨朱霞黄韧频刘澎博时文祥刘涛姚俊超王霄陈治伟敖金平

基于改进饱和电流密度法的气-固界面电荷分布特性仿真研究: 2024年; 直流电压下气-固界面存在自由电荷积聚现象,对沿面闪络等放电行为具有重要影响,与绝缘子的安全可靠性密切相关。国内外学者对此开展了大量实验和仿真研究,已有研究表明,气-固绝缘表面电荷的来源主要有3种:固体侧的体电流、气体侧的离子电流以及气-固表面的面电流。在气体绝缘开关设备(GIS)、气体绝缘金属封闭输电管廊(GIL)等电力设备中,各关键部件的控制场强较低,正常运行时不会发生局部放电,故气体侧电荷来源主要为气体分子的弱电离,但是气体场域的对流扩散方程离散形式会出现振荡解,直接求解易导致迭代不收敛。为了解决此难题,本文提出绝缘子气-固界面电荷积聚的改进饱和电流密度计算方法,并搭建柱式绝缘子表面电荷测量实验系统,测量了常温常压下空气中柱式绝缘子在直流电压下的表面电荷积聚特性,通过对比分析,验证了仿真计算方法的合理性和准确性。结果表明:支柱式绝缘子表面在直流电压下存在两个异极性电位峰、1个同极性电位峰,且随加压时间增大,电位峰位置不变。在试样下部,气体侧电流小于固体侧电流密度,表面积聚负电荷,在试样上部气体侧电流大于固体侧电流密度,表面同样积聚负电荷;在试样中部,绝缘子表面积聚正电荷,固体侧电荷占主导因素。研究结果可为直流输电设备的设计提供理论支持。; 刘杉姜喆袁书文李杨谢更生王青于彭宗仁; 关键词：表面电荷饱和电流 HVDC系统优化计算

一种测量半导体PN结反向饱和电流的设备: 本实用新型公开了一种测量半导体PN结反向饱和电流的设备，包括微电流源、PN结传感器、隔离器、数字电压表和加热装置，所述微电流源用于提供电流信号源，所述加热装置均匀分布有四个测量孔，所述PN结传感器的输入端连接有插头，所述...; 骆冠松

一种高饱和电流的一体成型电感: 本发明公开了一种高饱和电流的一体成型电感，包括安装罩、导热组件、壳体和电极组件，壳体的底部安装有电极组件，壳体的顶部安装有导热组件，导热组件内安装有安装板，安装板的内部两侧安装有导热座，安装板的顶部安装有安装罩，安装罩的...; 黄大云黄大明

一种太阳能电池片金属化饱和电流密度的测试方法及装置: 本发明涉及太阳能电池技术领域，公开了一种太阳能电池片金属化饱和电流密度的测试方法及装置，方法包括：获取太阳能电池片生产过程中的第一蓝膜片，并对第一蓝膜片进行光致发光成像测试，得到印刷前光致发光图像，其中第一蓝膜片为未印刷...; 吴泽伟张文昊黄畅余如志袁琛张金玲陈嘉

一种具有饱和电流自钳位功能的半导体器件: 一种具有饱和电流自钳位功能的半导体器件，本实用新型涉及功率半导体器件领域，本发明通过在提取引入深能级杂质，深能级杂质在器件正常工作时电离率低或不会电离，对器件阈值电压影响很小，不会对器件正常工况下的特性造成明显的不良影响...; 冯浩邓菁单建安

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