搜索到7篇“ 预充电荷“的相关文章
- 预充电荷对RSD开通特性的影响被引量：12
- 2003年
- RSD(ReverselySwitchedDynistors)是一种晶闸管与晶体管相间排列的多元胞结构半导体开关器件,采用控制等离子体层触发的开通模式。从理论上分析了预充电荷对RSD开通特性的影响,给出了RSD的开通条件,实验结果与理论分析相符。最后,提出了几种改善RSD开通特性的方法。
- 杜如峰余岳辉胡乾彭昭廉
- 关键词：半导体器件预充电荷开通特性
- 脉冲功率器件RSD非均匀导通的实验研究被引量：1
- 2010年
- 介绍了一种新型基于可控等离子体开通的半导体功率器件,即反向开关晶体管(Reversely Switched Dynistor,简称RSD),简述了其基本结构及工作原理。从理论上分析了导致RSD非均匀导通的因素,并通过实验进行验证,得到了2.5kV电压下,峰值电流为14.4k ARSD的典型开通特性。分析和实验结果都显示,导致RSD非均匀导通的因素主要有:磁开关与触发回路配合不当、器件预充不足、主电流的di/dt过高以及工艺因素等,其中前两个因素最为明显,在使用中应予以特别重视并加以避免。实验结果与理论分析能够很好地吻合。
- 尚超余岳辉黄朝
- 关键词：反向开关晶体管预充电荷
- 采用模块RSD触发技术的高压固态脉冲电源被引量：4
- 2009年
- 为了将超高速大功率半导体开关反向导通型双晶复合晶体管(RSD)用于构建高压重频固态脉冲源,研究了一种将RSD及其触发电路集成模块进行串联的RSD堆触发技术。首先建立RSD器件反向触发数学模型,并经过多次串联触发测试获得实验数据,通过对波形数据分析得到该模型的参数值;然后基于此模型,按照开关通流容量对预充电荷量的要求,对RSD并联谐振触发单元的谐振参数设计进行了Matlab仿真分析,确定谐振电路电阻、电感、电容参数优化值分别为:0.5Ω、1.75μH和0.2μF;最后,单个模块的触发实验验证了器件反向触发数学模型和预充电路参数设计的合理性,为10kV高压固态脉冲电源的6模块RSD串联触发电路的实现建立了基础。
- 王德玉王宝诚邬伟扬
- 关键词：触发电路并联谐振预充电荷
- 高压RSD开关谐振触发的仿真被引量：4
- 2007年
- 针对20kV高压反向开关晶体管RSD(Reverse Switching Dynistor)开关的触发问题,提出了一种谐振触发方式。利用电路仿真软件PSpice研究了谐振触发回路参数电容、电感、电阻对RSD预充电荷量的影响,并计算出相应条件下所使用磁开关的磁芯截面积。结果表明,谐振触发回路参数分别选择为0.3μF、8μH和1Ω时,能降低触发开关的要求,并能给RSD提供充分的预充电荷量。
- 周郁明余岳辉陈海刚
- 关键词：RSD预充电荷磁开关PSPICE仿真
- 高压RSD开关谐振触发
- 针对20kV高压RSD（Reverse Switching Dynistor）开关的触发问题,提出了一种谐振触发方式。利用电路仿真软件 PSpice研究了谐振触发回路参数电容、电感、电阻对RSD预充电荷量的影响,并计算出...
- 周郁明余岳辉陈海刚
- 关键词：RSD预充电荷磁开关PSPICE
- 文献传递
- 采用缓冲层结构的脉冲功率开关RSD研究
- 在现代脉冲功率技术领域，高平均功率重复率脉冲功率技术的发展日益加快，这就对脉冲功率系统中的开关元件提出了更高的要求。脉冲功率开关RSD（Reversely Switched Dynistor）具有正向阻断电压高、通流能力...
- 刘宝生
- 关键词：ROGOWSKI线圈阻断电压
- 文献传递
- RSD脉冲发生器主回路与触发回路研究
- 大功率超高速半导体开关RSD（ReverselySwitchedDynistor）具有通流能力强、高、开通速度快、功耗低、寿命长、重复频率高及易于串并联构成系统使用等特点，是脉冲功率开关的理想选择之一。为了避免RSD在开...
- 李谋涛
- 关键词：脉冲功率磁开关触发电路
相关作者
- 余岳辉
- 作品数：144被引量：273H指数：10
- 供职机构：华中科技大学光学与电子信息学院
- 研究主题：RSD 晶闸管 反向开关晶体管 脉冲功率 半导体开关
- 杜如峰
- 作品数：11被引量：47H指数：4
- 供职机构：华中科技大学
- 研究主题：RSD 磁开关 脉冲电源 半导体开关 开通
- 周郁明
- 作品数：13被引量：45H指数：4
- 供职机构：湖南大学电气与信息工程学院
- 研究主题：RSD RSD开关 钢丝绳 半导体开关 电流上升率
- 邬伟扬
- 作品数：189被引量：1,763H指数：21
- 供职机构：燕山大学
- 研究主题：高频链 逆变器 逆变电源 变换器 并网逆变器
- 黄朝
- 作品数：5被引量：2H指数：1
- 供职机构：华中科技大学光学与电子信息学院电子科学与技术系
- 研究主题：RSD 反向开关晶体管 灵敏度 预充电荷 CMOS工艺
