搜索到125篇“ 雪崩晶体管“的相关文章
- 一种高压雪崩晶体管
- 本发明公开的一种高压雪崩晶体管，包括由下至上依次设置的集电区电极、第三外延层、SI‑GaAs衬底、第一外延层及第二外延层，第二外延层上表面设置有通过光刻技术刻出条形叉指状凹槽；凹槽内设置有SiO<Sub>2</Sub>层...
- 屈光辉赵岚汪雅馨徐鸣兰春鹏
- 双注入雪崩晶体管及其制备方法
- 本发明提供了双注入雪崩晶体管及其制备方法，能解决现有雪崩晶体管因需维持高场强碰撞电离区，导致其导通压降和损耗较高，及重频运行下导通损耗造成的温升会影响其性能的问题。该晶体管包括集电区n<Sup>+</Sup>衬底层、集电...
- 乔汉青 胡龙 王翔宇 王欢 方旭 屈拓扑 安镜轩 李腾飞 谢佳玲
- 基极触发的雪崩晶体管导通机理被引量：1
- 2024年
- 为研究基极触发的雪崩晶体管导通机理,建立了雪崩晶体管(n+⁃p⁃n⁃n+掺杂结构)的准三维器件模型和实验测试电路。研究了雪崩晶体管的温度分布特征,导通结束后器件最高温度约为417 K,位于电流通道内n⁃n+边界处。当集电极电压为300 V、基极触发电压为2.4 V时,仿真和实验获得的脉冲上升时间分别为2.4 ns、2.5 ns,半高宽(FWHM)分别为6.2 ns、5.8 ns,仿真和实验结果基本一致。研究结果表明:高触发脉冲电压幅值会加速晶体管内部电场的重建过程,从而缩短延迟时间,提高晶体管响应速度;负载阻抗会影响器件导通通道尺寸,负载阻抗减小时,电流密度提升,器件通过缩窄通道来提高通道内电流密度,宏观导通电阻降低。
- 王欢乔汉青程骏胡龙李昕王翔宇方旭
- 关键词：雪崩晶体管雪崩击穿碰撞电离
- 一种高耐压的碳化硅基雪崩晶体管
- 本申请公开了一种高耐压的碳化硅基雪崩晶体管，包括依次设置的集电区电极、集电区n+衬底层、集电区n0外延层、p+基区层及n+发射区层；p+基区层中设置高掺杂的欧姆接触区域，同时在集电区n0外延层边缘通过离子注入形成高掺杂的...
- 梁琳温凯俊
- 一种低导通延时抖动的雪崩晶体管
- 本发明公开一种低延时抖动的雪崩晶体管，属于功率半导体技术领域。雪崩晶体管基本结构为npn型双极结型晶体管，由下至上包括集电区金属电极、集电区重掺杂n<Sup>+</Sup>外延层、集电区轻掺杂n<Sub>0</Sub>衬...
- 成真伯宁辉燕有杰
- 雪崩晶体管电压斜坡触发模式下终端失效机理研究被引量：1
- 2024年
- 随着超宽带脉冲信号系统在新能源汽车智能化感知技术等许多重要领域的应用,高幅值、快前沿脉冲源的研发得到了广泛研究。针对纳秒级前沿脉冲对超快功率半导体开关的需求,进行了雪崩晶体管在电压斜坡触发模式下终端失效机理的研究。利用仿真模型的静态特性与器件样品进行对比分析,测试了器件样品的动态开通特性。在成功得到纳秒级开通速度器件的基础上,对器件在电压斜坡触发模式下出现的失效现象进行了分析。
- 温凯俊梁琳陈晗
- 关键词：雪崩晶体管二次击穿MARX电路
- 基于雪崩晶体管的Marx脉冲信号源电路最优级数研究
- 本文对传统的Marx电路进行分析研究,针对Marx级数增加,幅值趋于饱和的问题,探索了输出幅值与不同级数之间的关系。找出了脉冲PCB板单板的最优级数,这样不仅能够节省设计成本,也可以减小脉冲源所占空间。有利于实现小型化、...
- 熊庆蔡欣宇王礼孙久勋李杨
- 关键词：MARX电路
- 一种基于雪崩晶体管和Marx电路的纳秒级方波脉冲源
- 本发明属于电子电路领域，涉及脉冲发生电路设计，具体提供一种基于雪崩晶体管和Marx电路的纳秒级方波脉冲源，用以进一步缩短输出方波的脉宽并减小上升沿时间。本发明基于RC微分电路将数字信号整形得到一个尖锐的脉冲信号，由该信号...
- 蔡欣宇杨宏春李杨熊庆王礼
- 一种适用于电压脉冲触发的超快速雪崩晶体管
- 本发明公开了一种适用于电压脉冲触发的超快速雪崩晶体管，包括由下至上设置的集电区电极、集电极区n+衬底层、集电极区n0外延层、p+基区层及n+发射区层，p+基区层旁设有环状深阱结构，深阱结构采用SiO<Sub>2</Sub...
- 梁琳温凯俊
- 一种雪崩晶体管串并联高压快沿开关电路
- 本发明涉及一种雪崩晶体管串并联高压快沿开关电路，包括：直流高压单元、触发单元、限流电阻、储能分压单元、雪崩晶体管串联单元及并联单元，雪崩晶体管串联单元包括若干串联子单元，串联子单元包括一脉冲变压器、触发雪崩晶体管及若干普...
- 王龙海刘晨阳王世敏卢仕卫锐刘志朋
- 文献传递
相关作者
- 莽燕萍
- 作品数：11被引量：17H指数：2
- 供职机构：中国科学院上海光学精密机械研究所
- 研究主题：雪崩晶体管 波片 脉冲 光孔 起偏器
- 梁琳
- 作品数：170被引量：109H指数：6
- 供职机构：华中科技大学
- 研究主题：RSD 反向开关晶体管 脉冲功率 碳化硅 SIC
- 陈少强
- 作品数：86被引量：5H指数：2
- 供职机构：华东师范大学
- 研究主题：太阳能电池 电池 半导体激光器 电致发光光谱 电致发光
- 于东海
- 作品数：42被引量：106H指数：6
- 供职机构：东南大学
- 研究主题：正交频分复用 电力载波通信 通信速率 OFDM系统 探地雷达
- 刘慎业
- 作品数：442被引量：629H指数：12
- 供职机构：中国工程物理研究院激光聚变研究中心
- 研究主题：X射线 惯性约束聚变 条纹相机 激光等离子体 成像
