搜索到384篇“ 降低表面电场“的相关文章
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一种降低表面电场的VLD终端
本发明提供一种易于实现、电压适用范围广、降低表面电场的VLD(Variable Lateral Doping，VLD)终端，通过两次离子注入来改善VLD终端波浪形不均匀的杂质分布，使得杂质分布更接近平滑的渐变分布，从而改...
任敏皮蒙郭霄刘思为周子怡李泽宏张波
一种降低表面电场的抗辐射VDMOS器件制造方法
本发明公开一种降低表面电场的抗辐射VDMOS器件制造方法，属于功率开关器件领域。提供包括衬底、缓冲层和外延层的硅晶圆；在进行JFET注入后，两次推结分别形成第一PWELL结和第二PWELL结；第一PWELL结和第二PWE...
徐政洪根深谢儒彬张庆东徐海铭廖远宝唐新宇
降低表面电场型半导体器件及其制造方法
本发明提供一种降低表面电场型半导体器件及其制造方法。所述降低表面电场型半导体器件中，漂移区在所述栅电极下方至所述漏区的区域内的掺杂浓度多次变化而形成轻掺杂区和重掺杂区，所述轻掺杂区的掺杂浓度使得当漏源电压为低于额定工作电...
中野纪夫北口裕久
降低表面电场型半导体器件及其制造方法
本发明提供一种降低表面电场型半导体器件及其制造方法。所述降低表面电场型半导体器件中，漂移区在所述栅电极下方至所述漏区的区域内的掺杂浓度多次变化而形成轻掺杂区和重掺杂区，所述轻掺杂区的掺杂浓度使得当漏源电压为低于额定工作电...
中野纪夫北口裕久
在端子降低表面电场区域中具有端子沟槽的功率晶体管
本申请涉及在端子降低表面电场区域中具有端子沟槽的功率晶体管。一种装置(100)包含形成于衬底(302)上的晶体管。所述晶体管包含n型漏极接触层(312)、n型漏极层(314)、氧化物层(332)、p型主体区域(324)、...
河原秀明C·B·科措恩赛特拉曼·西达尔西蒙·约翰·莫洛伊铃木惠
在端子降低表面电场区域中具有端子沟槽的功率晶体管
一种装置(100)包含形成于衬底(302)上的晶体管。所述晶体管包含n型漏极接触层(312)、n型漏极层(314)、氧化物层(332)、p型主体区域(324)、p型端子区域(322)、主体沟槽(110)及端子沟槽(122...
河原秀明 C·B·科措恩 赛特拉曼·西达尔 西蒙·约翰·莫洛伊 铃木惠
用于射频放大的双重降低表面电场RFLDMOS器件
本发明公开了一种用于射频放大的双重降低表面电场RFLDMOS器件，其包括衬底和外延层，所述外延层内分布有沟道区、漂移区、阱区和埋层区，所述漂移区内形成有漏区，所述阱区内形成有源区和掺杂区，所述沟道区还分别与所述源区、漂移...
岳丹诚彭虎莫海锋
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具有阶梯状轮廓的降低表面电场和漂移结构的横向DMOS器件
本发明题为“具有阶梯状轮廓的降低表面电场和漂移结构的横向DMOS器件”。本发明公开了一种用于制造MOSFET的方法，该方法包括在半导体衬底的表面上形成源极区和漏极区，形成栅极区，形成主体扩散区，形成金属结构，以及形成漂移...
T·C·H·姚R·德索萨T·D·克利尔
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一种采用降低表面电场技术的N型LDMOS
本发明公开了一种采用降低表面电场技术的N型LDMOS，包括p型衬底层，所述p型衬底层上端面为深N阱层，所述深N阱层内部包含深p阱层、n阱层、p型掺杂区、第一漂流环和第二漂流环，所述深p阱层包含p阱层，p+掺杂层和第一n+...
梁继然张叶陈亮
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在端子降低表面电场区域中具有端子沟槽的功率晶体管
一种装置(100)包含形成于衬底(302)上的晶体管。所述晶体管包含n型漏极接触层(312)、n型漏极层(314)、氧化物层(332)、p型主体区域(324)、p型端子区域(322)、主体沟槽(110)及端子沟槽(122...
河原秀明 C·B·科措恩 赛特拉曼·西达尔 西蒙·约翰·莫洛伊 铃木惠
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张波
作品数：4,960被引量：7,029H指数：42
供职机构：电子科技大学
研究主题：功率半导体器件 半导体功率器件 电能传输系统 无线 导电类型
李泽宏
作品数：1,006被引量：113H指数：5
供职机构：电子科技大学
研究主题：导通压降 功率半导体器件 半导体功率器件 导电类型 关断损耗
汤晓燕
作品数：351被引量：93H指数：6
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：碳化硅 肖特基接触 欧姆接触 外延层 肖特基二极管
李肇基
作品数：359被引量：624H指数：13
供职机构：电子科技大学
研究主题：击穿电压 功率器件 导电类型 SOI 功率半导体器件
杨万青
作品数：3被引量：0H指数：0
供职机构：东南大学
研究主题：降低表面电场 场板 DMOS 比导通电阻 功率半导体器件