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铜单晶
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相关度排序
被引量排序
时效性降序
时效性升序
相关度排序
相关度排序
被引量排序
时效性降序
时效性升序
键合态
铜
单晶
及其原子级扩散键合工艺方法
本发明公开了键合态
铜
单晶
及其原子级扩散键合工艺方法。对比了不同压力、升温速率以及保温时间对块体
铜
单晶
之间扩散键合效果的影响。通过对焊缝处进行EBSD表征发现:将待焊面表面粗糙度降低至150nm以下,在小于20MPa的压力...
李鹏
庞磊
徐向前
舒予
田永君
键合态
铜
单晶
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铜
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及其原子级扩散键合工艺方法。对比了不同压力、升温速率以及保温时间对块体
铜
单晶
之间扩散键合效果的影响。通过对焊缝处进行EBSD表征发现:将待焊面表面粗糙度降低至150nm以下,在小于20MPa的压力...
李鹏
庞磊
徐向前
舒予
田永君
一种溴铅
铜
单晶
的制备方法
本发明公开了一种溴铅
铜
单晶
的制备方法。本发明的制备方法包括溴铅
铜
多晶料的制备和溴铅
铜
单晶
的生长;具体包括:首先按化学计量比称取原料,混合后装入石英坩埚中真空封装,然后把石英坩埚放入摇摆炉中分段加热,边加热边摇摆进行溴铅
铜
...
丁彬
徐家跃
陈媛芝
申慧
一种基于p型铟酸亚
铜
单晶
薄膜的自驱动日盲光电探测器及其制备方法
本发明涉及一种基于p型铟酸亚
铜
单晶
薄膜的自驱动日盲光电探测器及其制备方法。所述自驱动日盲光电探测器包括衬底,衬底上方设置有n型宽带隙半导体
单晶
薄膜,所述n型宽带隙半导体
单晶
薄膜上方设置有p型铟酸亚
铜
单晶
薄膜和第一电极,p...
肖洪地
冯博
栾彩娜
一种制备超平整
铜
单晶
薄膜的方法
本发明公开了一种制备超平整
铜
单晶
薄膜的方法。本发明提供的制备
铜
单晶
薄膜的方法,包括如下步骤:以蓝宝石
单晶
作为生长基底,磁控溅射
铜
靶,退火,得到所述
铜
单晶
薄膜。本发明采用蓝宝石作为
铜
的外延生长基底,采用磁控溅射的方法,在c...
彭海琳
邓兵
刘忠范
文献传递
一种多晶
铜
单晶
化装置
本实用新型公开了一种多晶
铜
单晶
化装置,包括炉体以及设置于炉体顶部的顶板,所述炉体内壁从外至内依次覆盖有隔热层、加热电阻丝层和坩埚内壁,所述顶板上设有液位计、带有密封盖的进料口、电动执行机构、气压表和热电偶温度计,所述电动...
郑正
严雪松
冯勇
文献传递
一种多晶
铜
单晶
化生产用退火处理装置
本实用新型公开了一种多晶
铜
单晶
化生产用退火处理装置,包括退火炉和基座以及设置于退火炉底部的支腿,所述退火炉外壁均匀盘卷有冷却水管,所述退火炉右侧顶部焊接有支架,所述退火炉右侧炉口位置通过限位板安装有门板,所述门板顶部连接...
严雪松
郑正
昌克云
文献传递
一种多晶
铜
单晶
化生产用还原处理装置
本实用新型公开了一种多晶
铜
单晶
化生产用还原处理装置,包括底座,所述底座的上表面上设置有还原炉,所述还原炉的内腔中固定安装有承载板,所述还原炉的内腔中设置有电加热丝,所述电加热丝位于承载板的下方,所述还原炉的左右侧板上分别...
郑正
严雪松
周其全
文献传递
综合实验——谷氨酸
铜
单晶
的制备及其晶体结构分析
2018年
介绍了一个综合化学实验:谷氨酸
铜
单晶
的制备及其晶体结构分析。该实验以碱式碳酸
铜
和谷氨酸为原料,通过水热合成方法合成了谷氨酸
铜
单晶
。对
单晶
进行了X射线
单晶
衍射,实验结果表明,谷氨酸
铜
配合物属正交晶系,P212121空间群。并对其晶体结构进行了分析。本实验原料无毒或低毒,合成方法简单,合成条件宽泛,是一个值得推荐的综合实验。
万菲菲
张蕊
周红英
张栋
任时
许公峰
关键词:
综合化学实验
谷氨酸
配合物
晶体结构
一种制备超平整
铜
单晶
薄膜的方法
本发明公开了一种制备超平整
铜
单晶
薄膜的方法。本发明提供的制备
铜
单晶
薄膜的方法,包括如下步骤:以蓝宝石
单晶
作为生长基底,磁控溅射
铜
靶,退火,得到所述
铜
单晶
薄膜。本发明采用蓝宝石作为
铜
的外延生长基底,采用磁控溅射的方法,在c...
彭海琳
邓兵
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李小武
作品数:68
被引量:71
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作品数:178
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