公共文化服务平台

搜索到1555篇“ 铁电单晶“的相关文章

一种驰豫铁电单晶电极及其制备方法: 本申请提供了一种驰豫铁电单晶电极及其制备方法，其制备方法包括配置磨料水溶液，对驰豫铁电单晶晶片进行喷砂处理，得到喷砂处理后的驰豫铁电单晶晶片；采用离子溅射法，在真空度为1×10‑1‑1×10<Sup...; 郑彧李辉童亚琦张微王震

一种PMN-PT铁电单晶衍生复合光纤、制备及应用: 一种PMN‑PT铁电单晶衍生复合光纤、制备及应用，复合光纤包层材料为硅酸盐玻璃，纤芯材料为(1‑x)Pb(Mg1/3Nb2/3)O3‑xPbTiO<Sub...; 徐卓孙敏路旭袁刚栾鹏

一种PMN-PT铁电单晶衍生复合光纤、制备及应用: 一种PMN‑PT铁电单晶衍生复合光纤、制备及应用，复合光纤包层材料为硅酸盐玻璃，纤芯材料为(1‑x)Pb(Mg1/3Nb2/3)O3‑xPbTiO<Sub...; 徐卓孙敏路旭袁刚栾鹏

一种驰豫铁电单晶生长用原料的制备方法: 本发明提供了一种驰豫铁电单晶生长用原料的制备方法，包括：将纳米粉体分散在水中，混合均匀形成浆料，浆料通过冷冻干燥制备纳米粉体团聚体；将纳米粉体团聚体与微米粉体混合，获得混合粉体；将混合粉体进行高温煅烧，获得驰豫铁电单晶生...; 郑彧李辉陈红兵黄存新

一种厘米级(Bi0.5Na0.5)TiO3弛豫铁电单晶材料的制备方法: 本发明公开了一种厘米级(Bi0.5Na0.5)TiO3弛豫铁电单晶材料的制备方法，经由配料、预合成、配助熔剂、晶体生长制备得到具有厘米级尺寸的(Bi<Su...; 魏永星牛佳林董思远靳长清刘卫国

一种基于高性能铁电单晶PIN-PMN-PT的加载型电光调制器及其制备方法: 本发明公开了一种基于高性能铁电单晶PIN‑PMN‑PT的加载型电光调制器及其制备方法，该电光调制器包括PIN‑PMN‑PT基底，PIN‑PMN‑PT基底上的中间区域覆盖有直波导层，PIN‑PMN‑PT基底和直波导层上均覆...; 胡庆元张跃斌白嘉炜高鲁楠魏晓勇徐卓

一种正交相铁电单晶的朗道自由能参数构建方法、电子设备及存储介质: 一种正交相铁电单晶的朗道自由能参数构建方法、电子设备及存储介质，属于铁电单晶分析技术领域。为快速拟合朗道自由能参数，本发明包括测量全温域介电常数随温度的变化关系，确定材料的四方相‑立方相的相变点温度TC</Su...; 胡程鹏刘明瑄孟祥达谭鹏田浩

极化调控PIN-PMN-PT铁电单晶压电性能的均匀性: 2024年; 弛豫铁电单晶具有优异的压电性能,在医学超声换能器、水声器件等领域有重要应用。坩埚下降法生长的弛豫铁电单晶不可避免地存在组分偏析,导致材料利用率极低。本工作测试了0.24PIN-0.46PMN-0.30PT铁电单晶沿生长方向压电系数(d_(33))和介电常数(ε_(33)^(T)/ε_(0))的变化,结果显示d_(33)和ε_(33)^(T)/ε_(0)沿着生长方向变化极大,能保持性能接近的区域不足20 mm。通过针对不同区域的极化设计,对铁电-铁电相变温度接近的区域进行极化调控,使超过60%晶体部分的d_(33)和ε_(33)^(T)/ε_(0)分别维持在(1500±140)pC·N-1和4900±350。为了验证极化调控后的晶体谐振区域是否一致,测试了两端区域的k_(33)振子的谐振谱,结果显示两者的机电耦合系数接近,谐振和反谐振的峰位置也接近,而且不存在额外的寄生振动,说明采用极化调控PIN-PMN-PT铁电单晶沿生长方向的均匀性是可行的。本工作为提高PIN-PMN-PT铁电单晶的利用率提供了一种参考方案。; 梁敏熊瑞彬陈淑丽王祖建苏榕冰苏彬刘颖刘颖; 关键词：铁电单晶压电系数

硅基铌酸锂铁电单晶薄膜振动传感器的制备方法及应用: 本发明公开了一种硅基铌酸锂铁电单晶薄膜振动传感器的制备方法及应用，涉及半导体器件加工制造技术领域。具体为：采用PECVD法在Si‑LiNbO3键合片沉积一层SiO2薄膜层，采用...; 耿文平丑修建乔骁骏贺浩然张慧毅李晓黄王学文

相关作者