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一种深紫外GaN量子阱器件及其制备方法: 本发明提供了一种深紫外GaN量子阱器件及其制备方法，上述深紫外GaN量子阱器件包括沿生长方向依次层叠设置的衬底、AlN模板层、量子阱有源层以及盖帽层，量子阱有源层包括交替设置的至少一个势阱层和至少两个势垒层，每个势阱层插...; 单茂诚张毅张骏岳金顺

P型GaN量子阱器件输运特性的EDA算法、应用及仿真方法: 本发明提供一种P型GaN量子阱器件输运特性的EDA算法、应用及仿真方法，该EDA算法是基于k×p微扰算法建立，对GaN/AlN异质结量子阱的价带子带结构进行仿真，可有效用于仿真GaN/AlN异质结量子阱二维空穴气输运特性...; 李希越刘亚群章国豪王峰王靖

P型GaN量子阱器件输运特性的EDA算法、应用及仿真方法: 本发明提供一种P型GaN量子阱器件输运特性的EDA算法、应用及仿真方法，该EDA算法是基于k×p微扰算法建立，对GaN/AlN异质结量子阱的价带子带结构进行仿真，可有效用于仿真GaN/AlN异质结量子阱二维空穴气输运特性...; 李希越刘亚群章国豪王峰王靖

基于太赫兹半导体量子阱器件的光电表征技术及应用被引量：3: 2019年; 光电表征技术是太赫兹应用技术的重要基础,涵盖了太赫兹频段光电器件表征、光谱测量、光束改善以及通信和成像应用等多个方面,在太赫兹应用领域中发挥着重要作用。介绍了太赫兹频段两种半导体量子器件的工作原理和最新进展,综述了二者在太赫兹脉冲功率测量、探测器响应率标定等光电表征技术中的应用及其在太赫兹快速调制与探测、太赫兹扫描成像系统中的应用,最后介绍了太赫兹光电表征技术的改善,包括激光源光束质量改善和探测器有效探测面积的提高方法等,并给出了器件及表征技术的潜在应用。; 谭智勇曹俊诚; 关键词：量子级联激光器量子阱探测器

热活化延迟荧光量子阱器件中的新奇磁场效应: 有机发光二极管（organic light-emitting diodes，OLEDs）具有制备过程简单、来源材料价格低和超薄等优势，正逐渐被应用于电视屏幕、手机屏幕以及手环等产品中。通常在OLEDs中只有25%的单重态...; 潘睿亨; 关键词：电致发光磁场效应

利用有机磁效应研究热活化延迟荧光量子阱器件中的微观机制被引量：2: 2018年; 采用具有反向系间窜越(reverse intersystem crossing,RISC)特性的热活化延迟荧光(thermally activated delayed fluorescence,TADF)材料制备了量子阱有机发光二极管,测量了器件的磁电导(magneto-conductance,MC)和磁电致发光(magneto-electroluminescence,MEL),由此还可得到器件效率的磁效应(Mη),并利用这些磁效应特征曲线来研究器件中的微观过程.实验发现:室温下,尽管无量子阱参考器件的MC表现出RISC特性和载流子对三重态激子的解离机制,但量子阱器件的MC则只表现出三重态激子对载流子的散射机制;而且,无量子阱参考器件的MEL和Mη都表现出了系间窜越(ISC)和三重态激子对的湮灭(TTA)的过程,但量子阱器件的MEL则表现出ISC和三重态激子对载流子的散射机制,且其Mη只表现出了ISC属性.随着温度从室温降至20 K,量子阱器件和参考器件的ISC都增强,但量子阱器件在20 K还出现了TTA过程,而参考器件的TTA则在100 K后消失.我们提出根据量子阱器件和无量子阱器件的结构特性以及温度对F?rster能量转移和三重态激子的浓度与寿命的影响可以较好地解释这些实验现象.显然,研究量子阱器件的磁效应,不仅为发光器件提供设计思路,同时还可加深对有机磁效应的认识.; 潘睿亨汤仙童邓金秋胡叶倩熊祖洪陈晓莉; 关键词：电致发光磁效应

量子阱器件及其形成方法: 本发明提出了一种量子阱器件及其形成方法，能够形成具有高迁移率的量子阱器件，并且形成的量子阱器件具有较高的击穿电压，从而获得具有较好的性能及可靠性的量子阱器件。; 肖德元张汝京; 文献传递

量子阱器件及其形成方法: 本发明提出了一种量子阱器件及其形成方法，能够形成具有高迁移率的量子阱器件，并且形成的量子阱器件具有较高的击穿电压，从而获得具有较好的性能及可靠性的量子阱器件。; 肖德元张汝京; 文献传递

悬空p‑n结量子阱器件和光波导单片集成系统及其制备方法: 本发明公开了一种悬空p‑n结量子阱器件和光波导单片集成系统及其制备方法，该集成系统包括硅衬底层、设置在所述硅衬底层上的外延缓冲层、设置在所述外延缓冲层上的多个p‑n结量子阱器件，所述p‑n结量子阱器件之间设置有隔离槽，两...; 王永进高绪敏朱桂遐许银袁威蔡伟袁炜; 文献传递

具有界面层的非平面量子阱器件及其形成方法: 披露了用于形成非平面量子阱结构的技术。具体地说，该量子阱结构可用IV族或III-V族半导体材料实现并包括鳍结构。在一个示例性情形下，提供一种非平面量子阱器件，该量子阱器件包括具有衬底(例如硅上的SiGe或GaAs缓冲结构...; W·瑞驰梅迪R·皮尔拉瑞斯帝V·H·勒R·乔; 文献传递

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