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基于单片集成磁敏器件的角度传感器研究
针对当下各研究领域角度测量的需求,本文利用MEMS技术设计并制作一种基于磁敏器件的单片集成磁电式角度传感器,该传感器以集成化的硅磁敏器件(硅磁敏三极管)作为检测单元。其中,磁敏感方向相反放置的硅磁敏器件分别组成x、y方向...
车昊阳
关键词：MEMS技术
一种用于InSb磁敏器件的薄膜材料结构
本实用新型公开了一种用于InSb磁敏器件的薄膜材料结构，包括陶瓷衬底层，所述陶瓷衬底层的顶部设置有覆盖层，且覆盖层上设置有绝缘层，并且绝缘层上铺设有薄膜层；还包括：透气孔，所述透气孔贯通开设于陶瓷衬底层的内部，且陶瓷衬底...
胡苹
可控磁场下磁敏器件的压阻/剪阻性能的测试装置
本发明公开了一种可控磁场下磁敏器件的压阻/剪阻性能的测试装置，其包括用于向待测器件施加压力/剪力的施力装置，用于为待测器件提供可控磁场的磁场发生装置，以及用于实时采集并存储施加在待测器件上的压力信息、磁场强度及其自身的电...
李锐王明连任德均陈翔杨平安周梦娇朱洪浪冯丹
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隧道结磁敏器件频率响应特性研究
姚馨平
一种掺杂型InSb薄膜、其制备方法及InSb磁敏器件
本发明公开了一种掺杂型InSb薄膜、其制备方法及InSb磁敏器件，可改善InSb磁敏器件的温度效应，性能稳定。一种掺杂型InSb薄膜，InSb薄膜内掺杂有Te，所述Te的掺杂浓度大于或等于1×10<Sup>17</Sup...
俞振中马可军郑律
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可贴装磁敏器件及制造工艺
公开了一种可贴装磁敏器件包括：衬底；锑化铟薄膜，设置在所述衬底之上；至少两个导电型通孔结构，贯穿所述衬底的上下表面；其中，所述导电型通孔结构的第一部分位于所述衬底上表面延伸与所述锑化铟薄膜相连，第二部分位于所述衬底下表面...
华良
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可控磁场下磁敏器件的压阻/剪阻性能的测试装置
本发明公开了一种可控磁场下磁敏器件的压阻/剪阻性能的测试装置，其包括用于向待测器件施加压力/剪力的施力装置，用于为待测器件提供可控磁场的磁场发生装置，以及用于实时采集并存储施加在待测器件上的压力信息、磁场强度及其自身的电...
李锐王明连任德均陈翔杨平安周梦娇朱洪浪冯丹
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一种掺杂型InSb薄膜、其制备方法及InSb磁敏器件
本发明公开了一种掺杂型InSb薄膜、其制备方法及InSb磁敏器件，可改善InSb磁敏器件的温度效应，性能稳定。一种掺杂型InSb薄膜，InSb薄膜内掺杂有Te，所述Te的掺杂浓度大于或等于1×10<Sup>17</Sup...
俞振中马可军郑律
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一种磁敏器件及其制备方法
本发明公开一种磁敏器件及其制备方法，涉及光电子器件技术领域，为解决现有的磁敏器件制备过程困难，以及所制备的磁敏器件在形状和尺寸上均受到限制，适用范围较小的问题。所述磁敏器件包括：基材和设置在基材上的有机半导体结构，有机半...
孟昭晖
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一种具有预埋电极的磁敏器件
&lt;b&gt;本实用新型公开了一种具有预埋电极的磁敏器件&lt;/b&gt;&lt;b&gt;，&lt;/b&gt;&lt;b&gt;通过在基底与&lt;/b&gt;&lt;b&gt;InSb&lt;/b&gt;&l...
马可军俞振中郑律
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相关作者

周志敏
作品数：44被引量：21H指数：3
供职机构：上海交通大学
研究主题：巨磁阻抗效应 巨磁阻抗 传感器 多层膜 磁敏器件
陈吉安
作品数：80被引量：110H指数：7
供职机构：上海交通大学
研究主题：巨磁阻抗效应 传感器 巨磁阻抗 多层膜 磁敏器件
丁文
作品数：57被引量：37H指数：3
供职机构：上海交通大学
研究主题：巨磁阻抗效应 多层膜 传感器 巨磁阻抗 绝缘问题
曹莹
作品数：54被引量：71H指数：5
供职机构：上海交通大学
研究主题：巨磁阻抗效应 基于微机 射频 微针 电镀锌
周勇
作品数：188被引量：408H指数：12
供职机构：上海交通大学
研究主题：巨磁阻抗效应 磁通门传感器 螺线管线圈 巨磁阻抗 射频