搜索到1166篇“ 硅功率器件“的相关文章
- 硅功率器件液相钝化的研究与试验
- 本文讨论了在硅功率器件制造工艺中液相钝化工艺对硅功率器件一些性能的影响因素。并就这些因素提出了实用的工艺措施,避免和减少这些因素对硅功率器件一些性能的不利影响。
- 彭昭廉余岳辉李焕炀王芳
- 关键词：功率器件液相钝化
- 文献传递
- 高性能硅功率器件内的非均匀少数载流子寿命分布
- 一种用于热处理单晶硅段以影响硅段内少数载流子复合中心浓度分布的工艺。此硅段有一个前表面，一个后表面，与一个在前表面和后表面之间的中心平面。在此工艺中，硅段经受一个热处理以形成晶格空位，这些晶格空位形成在硅段的主体内。然后...
- 罗伯特·J·法尔斯特
- 文献传递
- 高温硅功率器件所用硅单晶电阻率的选取被引量：1
- 2001年
- 在进行高温硅功率器件设计时,为保证器件的温度特性,必须正确、恰当地选取硅单晶电阻率,理论分析与实验相结合,可根据硅功率器件额定结温确定硅单晶电阻率的上限值,根据硅功率器件反向击穿电压确定硅单晶电阻率的下限值,在此基础上,设计制造了满足坦克用的高温硅功率器件,额定结温达190℃.
- 潘广问
- 关键词：半导体器件反向击穿电压
- 银铝锗对硅功率器件中硅和钼连接界面结构的影响
- 1997年
- 借助热机械分析，Ｘ射线衍射和ＳＥＭ研究了ＡｇＡｌＧｅ合金的线膨胀系数，结构和用Ａｇ２４Ａｌ４３Ｇｅ３３焊接的硅和钼连接界面的结构，探讨了银对它们的影响。结果表明：ＡｇＡｌＧｅ的线膨胀系数接近银的膨胀系数。在硅和钼的连接界面存在Ａｇ２Ａｌ，Ａｌ和Ｇｅ，Ａｇ２Ａｌ的存在提高了连接界面的再熔化温度，减少了硅片的腐蚀深度。
- 邓忠民郑福前文飞谢明刘建良吕贤勇
- 关键词：焊料硅钼功率器件
- 浅谈硅单晶的电阻率对硅功率器件温度特性的影响
- 1996年
- 本文阐述了硅单晶电阻率对硅功率器件温度特性的影响，指出了如何根据硅功率器的额定结温和反向不重复峰值电压两项指标正确、恰当选取硅单晶的电阻率，这对硅功率器件的设计，特别是对高温硅功率器件的设计是有重要意义的。
- 潘广问
- 关键词：硅单晶电阻率硅功率器件温度特性
- 提高硅功率器件使用温度的探讨被引量：1
- 1996年
- 《ZP型硅整流元件部标准》规定硅整流元件额定结温为140℃,为满足坦克对硅整流元件的高温要求,在研制硅整流元件过程中,恰当地选取硅单晶电阻率,加上适当的表面造型和表面保护,制成结温达190℃的硅整流元件,使用温度提高了50℃,满足了装甲兵对坦克整流元件的要求。
- 潘广问徐彦彬
- 关键词：硅功率器件
- MOS型硅功率器件平面终端结构
- 1992年
- 本文介绍了MOS型硅功率器件在平面工艺条件下常用的电场限制环以及场板终端结构的基本设计理论和设计方法,讨论了这两种结构的优化设计的一般原则。在此基础上探讨了平面工艺p-n结终端技术发展所面临的课题。
- 秦祖新刘三清
- 关键词：硅功率器件MOS器件终端结构
- MOS型硅功率器件的耐压与终端处理
- 1991年
- 本文介绍了MOS型硅功率器件常见的平面结击穿电压的基本理论和提高击穿电压的基本方法以及终端处理技术发展中所面临的课题。
- 秦祖新刘三清
- 关键词：功率器件集成电路硅器件
- 硅功率器件的边缘钝化与电稳定性的关系
- 1991年
- Salka.,S
- 关键词：硅功率器件稳定性表面钝化
- 硅功率器件的电子辐照效应及其机理被引量：2
- 1984年
- 电子辐照硅功率器件是七十年代初发展起来的新工艺,它利用加速器产生高能电子流辐照硅功率器件,使硅材料晶格中的点阵原予发生位移,造成简单的品格空位和间隙原子。这些空位和问隙原子要和硅中的其它杂质、空位相互作用,组成缺陷络合物,形成了深能级的复合中心,如氧宅位对、磷空位对、双空位对等,以控制少子寿命.
- 钱思敏王炳林王培德刘安东黄耀先张传汉朱悟新张厥宗
- 关键词：辐照效应电子辐照深能级区熔电子注
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- 张玉明
- 作品数：1,004被引量：449H指数：11
- 供职机构：西安电子科技大学
- 研究主题：碳化硅 4H-SIC 肖特基接触 样片 退火
- 宋庆文
- 作品数：340被引量：18H指数：3
- 供职机构：西安电子科技大学
- 研究主题：碳化硅 肖特基接触 欧姆接触 外延层 肖特基二极管
- 贾仁需
- 作品数：214被引量：50H指数：4
- 供职机构：西安电子科技大学
- 研究主题：SUB PBI 碳化硅 衬底 肖特基接触
- 王悦湖
- 作品数：111被引量：27H指数：3
- 供职机构：西安电子科技大学
- 研究主题：碳化硅 4H-SIC 碳化硅衬底 掺杂 电池
