搜索到316篇“ 砷化镓场效应晶体管“的相关文章
- 一种自对准双凹槽砷化镓场效应晶体管的制作方法
- 本发明公开了一种自对准双凹槽砷化镓场效应晶体管的制作方法，在外延基底上采用两种不同的光刻胶形成T型窗口后，首先蚀刻N型重掺杂GaAs层形成第一预制槽，然后采用湿法蚀刻工艺蚀刻第一预制槽底部的N型掺杂GaAs层同时横向蚀刻...
- 何先良林志东孙希国杨宇李云燕魏明强
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- 文献传递
- 砷化镓场效应晶体管电荷控制大信号模型
- 该文所建立的电荷控制大信号模型,以电荷源作为模型的基本元件,从器件物理参数直接计算电荷量,从而解决了电荷不守恒问题.同时,从电荷源获得的电容矩阵在大信号下的模拟结果与实际测量数值一致,表明电葆控制模型较理想地分析了器件大...
- 王静
- 关键词：电荷控制模型电荷量砷化镓场效应晶体管电荷控制
- 文献传递
- 砷化镓场效应晶体管沟道温度测试方法
- 砷化镓场效应晶体管沟道温度测试方法属于半导体器件测试技术领域。其特点是：分别在工作状态下加有加热脉冲电压的栅极负偏压以及只加有栅极负偏压且其管芯温度与环境温度相等的条件下测出器件向测量状态转换时的Vgsf与t的曲线和只加...
- 吕长志王明珠王重冯士维丁广钰李学信
- 文献传递
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- 文献传递
- S频段大功率振荡用砷化镓场效应晶体管的微波性能
- 1992年
- 对WC76型S频段大功率振荡用砷化镓场效应晶体管的微波性能作了介绍。文中给出了测试振荡器的设计。测试结果表明,WC76型振荡管在s频段的微波性能良好,振荡频率在3GHz左右时,输出功率可达3.5w,直流—射频转换效率可达44％,而且在2～4GHz的整个S频段均能满意地工作。
- 王福臣
- 关键词：砷化镓场效应晶体管微波振荡器
- 高增益、高栅-漏击穿、低噪声微波砷化镓场效应晶体管
- 1990年
- 本文简要介绍了CX502N型微波砷化镓场效应晶体管的设计、特性与制造。器件采用了新的“积木式”台面结构,减小了栅-漏反馈电容。测试表明,器件具有高增益、高栅-漏击穿及低噪声特性。此外,文中还给出了与CX502N GaAs MESFET类似的器件CX503 GaAs MESFET的一些结果。
- 王淑君
- 关键词：场效应晶体管微波砷化镓低噪声
- 砷化镓场效应晶体管的噪声性能
- 1978年
- 一、引言砷化镓肖特基势垒场效应晶体管是在X波段和更高频率上显示线性功率放大性能的第一个三端固体器件。它的独特的信号处理能力和低噪声特性已为许多工作者所证明。例如,在10千兆赫时,其噪声系数接近3分贝的已有报导,而理论上预计的还低一些。目前,从低的C波段往上,砷化镓场效应晶体管已在低噪声放大器中被采用。就这点而论,它很出色地弥补了硅双极晶体管仍然只能控制C波段以下的微波波段的状况,然而,现在正用具有缓冲层的场效应晶体管来实现降低噪声,双极晶体管的这一独特频率范围不会继续存在多久。
- Robert A.Pucel
- 关键词：场效应晶体管单极晶体管场效应器件噪声发生器噪声性能迁移率模型
- 砷化镓场效应晶体管掺铁外延层的生长
- 1978年
- 采用Ga/AsCl3/N2汽相系统和一种新掺杂法生长了掺铁砷化镓外延层。将掺铁层作为场效应晶体管外延层的缓冲层,并对其特性进行了研究。发现外延层中铁的浓度和掺铁气体（FeCl2）的蒸气压成正比。可制备出电阻率高达104欧姆·厘米以上的外延层,而不增加晶体缺陷和除铁以外的其它杂质。观察到通过在有源层与衬底之间嵌入掺铁缓冲层而改进了掺铬衬底上亚微米有源层的电特性。
- Kenya Nakai
- 关键词：掺铁电阻率掺铬有源层外延层
- 11和14千兆赫低噪声砷化镓场效应晶体管放大器
- 1978年
- 采用亚微米栅砷化镓场效应晶体管(NEC V-388)研制成11和14千兆赫低噪声放大器。两级放大器实现的最小噪声系数,在11.2千兆赫时为4.2分贝,14千兆赫时为5.7分贝。该放大器将用作接收机前置级。它由未封装的砷化镓场效应晶体管管芯与制作在兰宝石衬底上的薄膜微带输入和输出电路组成。本文介绍了这类放大器的设计、结构和性能。
- S.Aihara
- 关键词：千兆赫噪声系数砷化镓场效应晶体管共振器放大器电路低噪声
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- 尹波
- 作品数：107被引量：36H指数：3
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- 冯士维
- 作品数：247被引量：300H指数：9
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- 张书敬
- 作品数：5被引量：9H指数：2
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