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介电环境屏蔽效应对二维InX(X=Se,Te)激子结合能调控机制的理论研究: 2023年; 采用基于格林函数的GW方法计算发现:孤立二维单层硒化铟(InSe)和碲化铟(InTe)具有吸收可见光的理想带隙,高的电子迁移率以及适合光解水的电子能带结构,电子自旋轨道耦合(SOC)效应使单层InTe从间接带隙半导体转变为直接带隙半导体.在准粒子能级计算的基础之上,通过求解Bethe-Salpeter方程(BSE)发现,孤立单层InSe和InTe的激子结合能远大于常温下激子的自发解离能.另一方面,实际应用的二维半导体为了维持其力学稳定性,大都需要依附在衬底上,另外,不同实验室样品自身原子层厚度也各异,这些因素必然改变二维半导体的介电环境.进一步的计算发现,二维InSe和InTe的激子结合能随自身原子层厚度以及衬底厚度的变大而减小,这说明可以通过调控二维半导体自身原子层以及衬底厚度的方式实现对激子结合能的精确调控,本文结果能够为将来精确调控二维InSe和InTe的激子结合能大小提供重要的理论依据.; 段秀铭易志军; 关键词：电子结构屏蔽效应激子

外场对InPBi量子阱中激子结合能的影响被引量：2: 2017年; 在有效质量近似下运用变分法计算了InAlAs/InPBi/InAlAs量子阱中的激子结合能随阱宽、Al组分、Bi组分的变化情况,分析了外加电场和磁场对激子结合能的影响。结果表明:激子结合能随阱宽增大呈现先增大后减小的趋势;随Al、Bi组分的增大,激子结合能也逐渐增大;外加电场较小时对激子结合能的影响很小,外加电场较大时破坏了激子效应;激子结合能随外加磁场增大呈现单调增大的趋势。计算结果对InAlAs/InPBi/InAlAs量子阱在光电子器件方面的应用有一定指导意义。; 陈丽王海龙陈莎李正李士玲龚谦; 关键词：光电子学激子结合能变分法电场

半导体量子阱掺杂对激子结合能的影响: 量子阱的光学性质是低维半导体物理研究的重要组成部分。由于量子阱结构可以利用能带工程改变其电子性质，使得它具有许多相异于体材料的光学特性，如量子限制斯塔克效应和激子的吸收饱和非线性效应等，从而为新型光电子器件的研制开辟了广...; 李永凯; 关键词：半导体量子阱激子结合能斯塔克效应

Cd_(1-x)Mn_xTe/CdTe抛物量子阱内激子结合能研究被引量：5: 2015年; 在有效质量近似下采用变分法计算了Cd_(1-x)Mn_xTe/CdTe抛物量子阱内不同Mn组分下激子的结合能,给出了结合能在不同Mn组分下随阱宽、垒宽、外加电场的变化情况。结果表明:激子结合能是阱宽的一个非单调函数,随阱宽的变化呈现先增加后减小的趋势,而且随着Mn组分增大,激子结合能达到最大值的阱宽相应变小,这与材料的带隙改变有关;激子结合能随垒宽逐渐增大然后趋于稳定值,这与波函数向垒中的渗透有关;在一定范围内电场对激子结合能的影响很小,而且Mn组分越大对激子结合能影响越小,但电场强度较大时会破坏激子效应。计算结果可以为基于半导体抛物形量子阱发光器件设计制作提供一些理论依据。; 张金凤王海龙龚谦; 关键词：结合能变分法激子

Cd1-xMnxTe/CdTe量子阱中激子结合能的研究: 随着量子阱材料的发展，量子阱器件广泛应用于各种领域。激子对描述半导体的光学以及电学特性具有重要意义，并且激子效应对半导体中的光吸收、发光等物理过程具有重要影响，因此研究激子对半导体光电子器件的设计和制作具有非常重要意义。...; 张金凤; 关键词：激子结合能变分法; 文献传递

外电场对InGaAsP/InP量子阱内激子结合能的影响被引量：7: 2013年; 在有效质量近似下采用变分法计算了InGaAsP/InP量子阱内不同In组分下的激子结合能,分析了结合能随阱宽和In组分的变化情况,并且讨论了外加电场对激子结合能的影响.结果表明:激子结合能是阱宽的一个非单调函数,随阱宽的变化呈现先增加后减小的趋势;随着In组分增大,激子结合能达到最大值的阱宽相应变小,这与材料的带隙改变有关;在一定范围内电场的存在对激子结合能的影响很小,但电场强度较大时会破坏激子效应.; 王文娟王海龙龚谦宋志棠汪辉封松林; 关键词：激子 INGAASP 结合能电场

GaAs/AlxGa1-xAs三量子阱中势垒厚度对激子结合能的影响及其压力效应: 本文选取三量子阱模型，采用变分法讨论GaAs/AlxGa1-xAs有限深量子阱中势垒厚度对激子行为的影响.　　首先，简要综述了关于多层材料量子阱结构模型的一些物理性质，总结比较了无限厚势垒量子阱中杂质态和激子态结合能的变...; 班士良; 关键词：激子结合能压力效应结构参数; 文献传递

GaAs/AlxGa1-xAs三量子阱中势垒厚度对激子结合能的影响及其压力效应: 本文选取三量子阱模型,采用变分法讨论GaAs/AlxGa1-x As有限深量子阱中势垒厚度对激子行为的影响. 首先,简要综述了关于多层材料量子阱结构模型的一些物理性质,总结比较了无限厚势垒量子阱中杂质态和激子态结合能的变...; 王丽青; 关键词：激子结合能压力效应; 文献传递

GaAs/Al_xGa_(1-x)As三量子阱中势垒厚度对激子结合能的影响及其压力效应: 2013年; 选取三量子阱模型,采用变分法讨论GaAs/AlxGa1-xAs有限深量子阱中势垒厚度对激子行为的影响,主要计算激子结合能随阱宽和垒厚的变化关系以及Al组分的影响.结果表明,当阱宽较大时,结合能随势垒厚度的变化先增加后趋于稳定值;当阱宽较小时,结合能随垒厚则先减至极小值后再增加.上述结论与通常的有限深势阱之结果相差较大,此修正可为相关的理论和实验提供参考.结果还显示,有限厚势垒情形结合能随压力线性增加的趋势明显小于无限厚势垒情形.; 王丽青班士良; 关键词：激子结合能压力效应

GaAs/Al_xGa_(1-x)As对称耦合双量子阱中激子结合能的压力效应被引量：3: 2009年; 考虑三元混晶效应,采用变分法讨论GaAs/AlxGa1-xAs对称耦合双量子阱中激子结合能的压力效应,并计算激子结合能随阱宽和中间垒宽的变化关系以及Al组分的影响.结果表明,激子结合能随阱宽的增加先增加至极大,随后减小;随垒宽则先减小到极小,随后增加.结合能随压力则近线性增加,且当阱宽较宽时,Al组分对结合能的影响不明显.; 朱俊班士良; 关键词：激子结合能压力效应

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