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氮化镓发光二极管
本发明公开了一种氮化镓发光二极管,依次包括:n型氮化物层、有源层、电子阻挡层、能带扭曲层和p型氮化物层,其特征在于:所述有源层表面上具有V型缺陷和连接所述V型缺陷的平面区,所述能带扭曲层之材料具有足够低的能隙,致使所述...
陈秉扬张中英赖昭序曾建尧张洁朱学亮刘信佑卢德恩刘建明
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氮化镓发光二极管
本发明公开了一种氮化镓发光二极管,依次包括:n型氮化物层、有源层、电子阻挡层、能带扭曲层和p型氮化物层,其特征在于:所述有源层表面上具有V型缺陷和连接所述V型缺陷的平面区,所述能带扭曲层之材料具有足够低的能隙,致使所述...
陈秉扬张中英赖昭序曾建尧张洁朱学亮刘信佑卢德恩刘建明
氮化镓发光二极管
本发明提出了一种氮化镓发光二极管,其为台阶结构,具有衬底,所述衬底的下表面形成有金属反射层;所述衬底的上表面上依次形成有GaN缓冲层、n型GaN层、多量子阱发光层(MQW)、p型AlGaN层、p型GaN层、透明电极层,...
虞浩辉周宇杭
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氮化镓发光二极管
本发明提出了一种氮化镓发光二极管,其为台阶结构,具有衬底,所述衬底的下表面形成有金属反射层;所述衬底的上表面上依次形成有GaN缓冲层、n型GaN层、多量子阱发光层(MQW)、p型AlGaN层、p型GaN层、透明电极层,...
虞浩辉周宇杭
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氮化镓发光二极管
本实用新型公开一种氮化镓发光二极管,涉及LED芯片技术领域。该二极管包括衬底、依次层叠在衬底上的n-GaN层、量子阱层和p-GaN层,依次层叠的n-GaN层、量子阱层和p-GaN层共同蚀刻有一台阶,该台阶的低端设有n电...
邓小强张建宝
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氮化镓发光二极管
本发明公开的氮化镓发光二极管,包括蓝宝石衬底、缓冲层、n型GaN外延层、有源层、p型GaN外延层、黏附层、ITO层、p电极和n电极,其中,最底层为蓝宝石衬底;缓冲层形成于蓝宝石衬底之上;n型GaN外延层形成于缓冲...
潘群峰吴志强林科闯
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一种氮化镓发光二极管
本实用新型涉及半导体光电技术领域,特别公开了一种氮化镓发光二极管二极管侧壁固定安装有第一环形套,弹簧伸缩杆顶部固定安装有连接杆,连接杆与安装块滑动安装,连接杆的一端固定安装有安装块,连接杆的一端固定安装有第二环形套,...
黄永乐郑小平
氮化镓发光二极管外延片及其制备方法
本发明涉及半导体技术领域,具体公开一种氮化镓发光二极管外延片及其制备方法,外延片包括衬底及设于所述衬底上的外延层,所述外延层包括依次设置于所述衬底上的缓冲层、未掺杂GaN层、N型层、应力调控层、多量子阱层、电子阻挡层及...
刘春杨胡加辉金从龙顾伟
氮化镓发光二极管外延片及其制备方法
本发明涉及半导体,具体公开一种氮化镓发光二极管外延片及其制备方法,外延片包括衬底及外延层,所述外延层包括N型复合层,所述N型复合层包括沿外延方向依次设置的第一N型层及第二N型层,所述第一N型层为掺Si的N型GaN层,所...
印从飞张彩霞刘春杨胡加辉金从龙
氮化镓发光二极管外延片及其制备方法
本发明涉及半导体,具体公开一种氮化镓发光二极管外延片及其制备方法,外延片包括衬底及外延层,所述外延层包括N型复合层,所述N型复合层包括沿外延方向依次设置的第一N型层及第二N型层,所述第一N型层为掺Si的N型GaN层,所...
印从飞张彩霞刘春杨胡加辉金从龙

相关作者

张书明
作品数:154被引量:66H指数:5
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研究主题:氮化镓 GAN 欧姆接触电极 氮化镓基发光二极管 氮化镓基激光器
杨辉
作品数:376被引量:1,987H指数:26
供职机构:中国科学院地质与地球物理研究所
研究主题:氮化镓 GAN MOCVD 欧姆接触电极 紫外探测器
伊晓燕
作品数:272被引量:141H指数:5
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:发光二极管 氮化镓 多量子阱 衬底 蓝宝石
陆卫
作品数:760被引量:660H指数:11
供职机构:中国科学院上海技术物理研究所
研究主题:红外探测器 量子阱红外探测器 膜系 碲镉汞 多量子阱
杨少延
作品数:147被引量:68H指数:4
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:衬底 生长温度 氮化镓 非极性 协变