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欧姆接触比接触电阻测量方法、装置、设备及存储介质: 本申请公开了比接触电阻测量方法通过利用在衬底上设置有两个电极组的电极测试结构进行测试，其中每个电极组中电极数量相等、长度相等，但宽度不等，且两个电极组中对应的电极间距相等，得到每个电极组中相邻第一电极间电阻、相邻第二电极...; 尹振尚海平王英辉

一种降低p型III-V族半导体材料与接触电极的比接触电阻率的方法: 本发明涉及一种降低p型III‑V族半导体材料与接触电极的比接触电阻率的方法。该方法使用一组优化的参数来生长接触层，包括：使用N<Sub>2</Sub>、H<Sub>2</Sub>混合载气生长接触层；使用TMGa生长接触层...; 宗华付建波蒋盛翔

一种测量高阻金刚石欧姆接触比接触电阻的方法: 一种测量高阻金刚石欧姆接触比接触电阻的方法，本发明的目的在于解决高阻半导体尤其是氧终端本征金刚石难以使用TLM测试比接触电阻的问题。测量高阻金刚石欧姆接触比接触电阻的方法：一、取制备好欧姆接触TLM电极图案的氧终端本征金...; 刘康范赛飞朱嘉琦

一种CTLM比接触电阻测量装置及比接触电阻测量设备: 本发明公开了一种本发明所提供的CTLM比接触电阻测量装置，包括电压测试电路、电流测试电路及均压电路；所述均压电路包括外电极公共端及多条外电极引线，所述外电极引线的输入端连接于所述外电极公共端，输出端连接于CTLM待测结构...; 尹振尚海平王英辉

比接触电阻检测样品的制备方法及比接触电阻检测样品: 本发明提供一种比接触电阻检测样品的制备方法及比接触电阻检测样品，包括：在清洗后的SiC晶圆表面沉积介质膜；在所述介质膜表面旋涂光刻胶，并对所述光刻胶进行预处理，形成具有预设图案的光刻胶膜，基于所述光刻胶膜对所述介质膜进行...; 魏晓光朱涛焦倩倩董佳俊王锐阎海亮李嘉琳李青岭李玲金锐杨霏

欧姆接触比接触电阻测量方法、装置、设备及存储介质: 本申请公开了比接触电阻测量方法通过利用在衬底上设置有两个电极组的电极测试结构进行测试，其中每个电极组中电极数量相等、长度相等，但宽度不等，且两个电极组中对应的电极间距相等，得到每个电极组中相邻第一电极间电阻、相邻第二电极...; 尹振尚海平王英辉; 文献传递

一种低比接触电阻率的p型III-V族半导体材料与导电电极欧姆接触的制备方法: 本发明涉及一种低比接触电阻率的p型III‑V族半导体材料与导电电极欧姆接触的制备方法。该方法使用delta掺杂技术来生长p型III/V族氮化物半导体材料的Mg高掺接触层，有效的提高了Mg的掺杂浓度，从而提高了接触界面的空...; 付建波宗华蒋盛翔

一种降低p型III-V族半导体材料与接触电极的比接触电阻率的方法: 本发明涉及一种降低p型III‑V族半导体材料与接触电极的比接触电阻率的方法。该方法使用一组优化的参数来生长接触层，包括：使用N<Sub>2</Sub>、H<Sub>2</Sub>混合载气生长接触层；使用TMGa生长接触层...; 宗华付建波蒋盛翔张晓蓉; 文献传递

一种CTLM比接触电阻测量装置及比接触电阻测量设备: 本发明公开了一种本发明所提供的CTLM比接触电阻测量装置，包括电压测试电路、电流测试电路及均压电路；所述均压电路包括外电极公共端及多条外电极引线，所述外电极引线的输入端连接于所述外电极公共端，输出端连接于CTLM待测结构...; 尹振尚海平王英辉; 文献传递

一种测量SiC衬底背面欧姆接触的比接触电阻率的方法: 一种测量SiC衬底背面欧姆接触的比接触电阻率的方法，包括：提供具有不同面积的多个SiC衬底，所述SiC衬底的正反两面分别具有接触金属层；分别测量每个SiC衬底在正反两面之间的I‑V特性，得到每个SiC衬底的I‑V测试曲线...; 杨成樾周正东罗烨辉陈宏白云李诚瞻刘国友刘新宇; 文献传递

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