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一种单层陶瓷电容器晶界层半导体陶瓷材料及其制备
本发明涉及一种单层陶瓷电容器晶界层半导体陶瓷材料，该材料按重量百分比由以下原料制成：SrCO<Sub>3</Sub>60～69％，TiO<Sub>2</Sub>30～38％，添加剂0.2～3％；其中，所述添加剂为ZnO、...
葛鸿钊葛培盛杨春根程艳萍袁镇安
一种钛酸锶陶瓷材料、晶界层陶瓷基片及其制备方法与应用
本发明公开了一种钛酸锶陶瓷材料、晶界层陶瓷基片及其制备方法与应用；本发明将SrTiO<Sub>3</Sub>粉体和掺杂物混合，烧制、研磨过筛得到原料A；所述掺杂物为Nb<Sub>2</Sub>O<Sub>5</Sub>粉...
吕明蒋存涛
一种晶界层电容器用SrTiO<Sub>3</Sub>基陶瓷基板的制备方法
本发明涉及陶瓷材料技术领域，具体公开了一种晶界层电容器用SrTiO<Sub>3</Sub>基陶瓷基板的制备方法，以SrCO<Sub>3</Sub>、TiO<Sub>2</Sub>、Ta<Sub>2</Sub>O<Sub>...
何创创谭柳茂陈杰伍秦至姜滔陈传庆
一种高介晶界层陶瓷材料及晶界层陶瓷基板的制备方法
本发明公开了一种高介晶界层陶瓷材料及晶界层陶瓷基板的制备方法，陶瓷材料包括：主体材料：钛酸锶；施主材料：La<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>和Nb<Sub>2</Sub>O<Sub>5</Sub>；烧结...
杜君程华容王新祁晓旭赵伟利王帅
一种提高晶界层电容器电阻的绝缘化剂及其使用方法
本发明涉及半导体、电子功能材料领域，公开了一种提高晶界层电容器电阻的绝缘化剂及其使用方法，所述绝缘化剂中包括Pb<Sub>3</Sub>O<Sub>4</Sub>、CuO、B<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Su...
胡竞楚杨昌平李慧娟徐玲芳余昌昊梁世恒王瑞龙肖海波胡季帆
一种晶界层电容器用SrTiO<Sub>3</Sub>基陶瓷基板的制备方法
本发明涉及陶瓷材料技术领域，具体公开了一种晶界层电容器用SrTiO<Sub>3</Sub>基陶瓷基板的制备方法，以SrCO<Sub>3</Sub>、TiO<Sub>2</Sub>、Ta<Sub>2</Sub>O<Sub>...
何创创谭柳茂陈杰伍秦至姜滔陈传庆
一种钛酸锶单晶基晶界层电容器材料及其制备方法和应用
本发明属电容器制备技术领域，尤其涉及一种钛酸锶单晶基晶界层电容器材料及其制备方法和应用。本发明提供了的SrTiO<Sub>3</Sub>单晶基晶界层电容器材料，包括第一半导体化SrTiO<Sub>3</Sub>单晶片，第...
冯毅龙卢振亚吕明曾石稳
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一种单层陶瓷电容器晶界层半导体陶瓷材料及其制备
本发明涉及一种单层陶瓷电容器晶界层半导体陶瓷材料，该材料按重量百分比由以下原料制成：SrCO<Sub>3</Sub> 60～69％，TiO<Sub>2</Sub> 30～38％，添加剂0.2～3％；其中，所述添加剂为Zn...
葛鸿钊葛培盛杨春根程艳萍袁镇安
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一种晶界层电容器的制备方法
本发明公开了一种晶界层电容器的制备方法，具体步骤为：以SrCO<Sub>3</Sub>和TiO<Sub>2</Sub>为主料，添加Dy<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>和Ho<Sub>2</Sub>O<S...
张木森何创创杨昌平庞锦标肖海波王学杰王瑞龙杨俊
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一种晶界层电容器的制作方法
本发明提供一种晶界层电容器的制作方法，采用三步法制备STO晶界层电容器。首先将STO生瓷片在还原性气氛中烧结得到半导体化基片，再选用适当氧化剂对STO半导体化基片进行绝缘化，最后利用STO晶界层电容器电阻值随负载电压及加...
杨昌平李伟恒胡竞楚张木森徐玲芳梁世恒王瑞龙肖海波
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相关作者

徐保民
作品数：15被引量：45H指数：5
供职机构：中国科学院上海硅酸盐研究所
研究主题：电容器材料 SRTIO 晶界层 陶瓷 钛酸锶
王鸿
作品数：17被引量：49H指数：5
供职机构：上海科学技术大学
研究主题：电容器材料 陶瓷 SRTIO 晶界层 钛酸锶
殷之文
作品数：219被引量：1,124H指数：19
供职机构：中国科学院上海硅酸盐研究所
研究主题：晶体 晶体生长 钨酸铅晶体 闪烁晶体 钨酸铅
李军
作品数：131被引量：24H指数：2
供职机构：东南大学
研究主题：电容器介质 无机非金属材料 普通化学 陶瓷电容器 电容器陶瓷
钟朝位
作品数：234被引量：221H指数：7
供职机构：电子科技大学
研究主题：微波介质陶瓷材料 电子陶瓷 陶瓷材料 微波陶瓷 微波介质陶瓷