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一种氧化镓薄膜及其异质外延生长方法
本发明属于半导体外延生长技术领域。本发明提供了一种氧化镓薄膜及其异质外延生长方法。本发明氧化镓薄膜的异质外延生长方法，包含如下步骤：将镓源水平置于反应温区，预处理后的衬底垂直置于沉积温区，通入氧源进行薄膜生长，然后对衬底...
程再军罗杭郭榕榕郑荣升杨宇霖
一种基于新型立体掩模进行异质外延生长的方法
本发明提供了一种基于新型立体掩模进行异质外延生长的方法，该方法为：先用衬底制备含有立体掩膜的衬底，然后对含有立体掩膜的衬底进行预处理，将得到的预处理后含有立体掩膜的衬底放入腔室温度为500℃的MOCVD腔室中，在预处理后...
廖辉杨宁选宋春燕王锐唐光辉
一种亚稳相氧化镓膜异质外延生长方法及装置
本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种亚稳相氧化镓膜异质外延生长方法及装置。本发明将镓源溶液雾化为镓源雾滴；采用载气将所述镓源雾滴输送至衬底表面，在衬底表面外延生长得到所述亚稳相氧化镓膜；所述镓源雾滴输送至所述衬底表面的...
宁平凡李雄杰牛萍娟姜勇
一种亚稳相氧化镓膜异质外延生长方法及装置
本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种亚稳相氧化镓膜异质外延生长方法及装置。本发明将镓源溶液雾化为镓源雾滴；采用载气将所述镓源雾滴输送至衬底表面，在衬底表面外延生长得到所述亚稳相氧化镓膜；所述镓源雾滴输送至所述衬底表面的...
宁平凡李雄杰牛萍娟姜勇
用于异质外延生长的硅衬底的制作方法、硅衬底及应用
本发明公开了一种用于异质外延生长的硅衬底的制作方法、硅衬底及异质外延器件的制备方法。通过在光刻胶层上形成所需倾斜角度的斜面的第一槽结构，再以该光刻胶层为掩膜层，沿第一槽结构的斜面对硅衬底进行倾斜刻蚀，暴露出硅衬底的{11...
吴启花熊敏
一种在复合结构衬底上异质外延生长GaN的方法
本发明公开了一种在复合结构衬底上异质外延生长GaN的方法，包括：多晶SiC基底材料表面处理；将石墨烯层转移至多晶SiC基底材料表面，并退火处理，形成复合结构衬底；在原子层沉积设备中对复合结构衬底表面进行原位等离子处理，沉...
何俊蕾彭若诗刘洋博文袁俊杨冰沈晓安
一种提高MOCVD异质外延生长AlN可重复性的方法
本发明公开了一种提高MOCVD异质外延生长AlN可重复性的方法，在MOCVD异质外延生长AlN前，向反应室内通入三甲基铝和氨气，以在反应室内表面生成AlN薄膜，然后再进行MOCVD异质外延生长。本发明的方法简单，不需要新...
王幼林何宗将张洋
一种异质外延生长高导热防护金刚石薄膜及其制备方法
本申请涉及光电领域，公开了一种异质外延生长高导热防护金刚石薄膜及其制备方法，包括以下步骤：将基片放置在脉冲激光沉积系统的样品台上，将靶材放置在靶托，在基片表面脉冲激光沉积保护层；将沉积后的基片放置在微波等离子体化学气相沉...
郭可升武帅郑森杰吴进杨振怀刘宏
钛酸锶衬底异质外延生长单晶金刚石薄膜研究
金刚石作为自然界已知最坚硬的物质,同样是一种具有优秀光、热、电和机械性能的宽禁带半导体材料,在超精密加工、光学、医学、粒子探测器、半导体及电子器件等领域具有十分广泛应用,被誉为“终极半导体”材料。然而,两英寸及以上大尺寸...
张智华
关键词：单晶金刚石
基于异质外延生长单晶金刚石的方法
本发明公开了一种基于异质外延生长单晶金刚石的方法，包括选取单晶金刚石衬底，并在异质外延衬底上生长第一铱金属层；利用外延生长工艺在处理后的衬底上外延生长单晶籽晶层作为缓冲层在所述单晶金刚石衬底的上表面生成石墨烯层；在所述石...
付鹏
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杨银堂
作品数：1,623被引量：1,654H指数：16
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：硅 片上网络 电路 CMOS 低功耗
段宝兴
作品数：221被引量：64H指数：4
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：击穿电压 晶体管 纵向电场 漂移区 场效应管
李成明
作品数：330被引量：435H指数：11
供职机构：北京科技大学
研究主题：金刚石 金刚石膜 单晶金刚石 微波等离子体化学气相沉积 金刚石薄膜
曹震
作品数：66被引量：7H指数：2
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：场效应管 金属氧化物半导体 击穿电压 多数载流子 半绝缘多晶硅
袁嵩
作品数：107被引量：6H指数：1
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：击穿电压 异质结场效应晶体管 漂移区 槽栅 ALGAN/GAN