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一种基于PIN管的高开关比可控极化筛选频率选择表面
本发明涉及一种基于PIN管的高开关比可控极化筛选频率选择表面，包括级联在一起的三层结构，第一层为背面金属功能层，第二层为介质基板，第三层为正面金属功能层；其中背面金属功能层实现Y方向极化的屏蔽作用，电控开关集成在正面金属...
李钊李洋孙红兵王立超张鹏周志鹏周浩
一种高开关比P沟道增强型GaN器件及N/P集成结构
本发明公开了一种高开关比P沟道增强型GaN器件及N/P集成结构，包括：衬底、缓冲层、沟道层、势垒层、隔离区、N沟道区、P沟道区和钝化介质层，衬底、缓冲层、沟道层和势垒层自下而上依次设置，隔离区从势垒层上表面向下延伸至缓冲...
潘传奇王登贵周建军胡壮壮李忠辉
一种具有超高开关比的阻变存储器
本发明涉及微电子技术领域，具体公开了一种具有超高开关比的HfO<Sub>2</Sub>基阻变存储器及其制备方法。本发明提供的阻变存储器依次层叠结构设置的衬底、Pt底电极、HfO<Sub>2</Sub>薄膜阻变层，Ag顶电...
潘金艳贺宏杨何若彤高云龙李铁军谢伦博王祯平钟莹莹
一种高开关比二氧化钒薄膜及制备方法
本发明提供一种高开关比二氧化钒薄膜及制备方法，包含如下步骤：(1)首先通过高温薄膜沉积工艺在基片上沉积一层10‑30nm二氧化钒种子层；(2)然后降低温度，在步骤(1)获得的二氧化钒种子层上继续沉积所需厚度的氧化钒薄膜，...
顾德恩熊志赵天成周鑫
一种基于异质结的高开关比铁电隧道结
本发明公开了一种基于异质结的高开关比铁电隧道结，涉及半导体技术，针对现有技术中FTJ电场耐受性低以及FSJ天然温度依赖性的等问题提出本方案。在铁电隧穿层一端面设置第一金属电极，另一端面设置二维半导体电极，铁电隧穿层和二维...
周长见罗英杰
一种阻变极型行为可切换的高开关比存储器件
本发明公开了一种阻变极型行为可切换的高开关比存储器件，涉及微电子半导体技术领域。本发明包括硅片、二氧化硅层、底电极铂层、无定型氧化铪层、铪锆氧铁电层和顶电极钨电极，硅片的顶端设置有二氧化硅层，二氧化硅层的顶端设置有底电极...
张万里毛燕湖万光亮燕少安夏良平党随虎
一种提高铪基铁电隧穿结器件电流开关比的操作方法及系统
本发明提出了一种提高铪基铁电隧穿结器件电流开关比的操作方法及系统，涉及微纳米电子技术领域。操作方法包括如下步骤：S1、对铪基铁电隧穿结器件进行加热升温；S2、向所述铪基铁电隧穿结器件施加具有双极性的电压；S3、将所述铪基...
王兴晟张子冲杨逸凡缪向水
200G以上低插损高开关比太赫兹调制器的研究
易浩
连续波模拟器的脉冲调制开关比测量方法、系统及设备
本发明属于脉冲调制开关比的测量领域，具体涉及了一种CS114连续波模拟器的脉冲调制开关比测量方法、系统及设备，旨在解决现有技术测量不足，无法实现脉冲调制开关快速反复开启和关断时开关比测量的问题。本发明包括：设定CS114...
杨金涛马永光张磊纪翔颉逍吴红森
一种高开关比二氧化钒薄膜及制备方法
本发明提供一种高开关比二氧化钒薄膜及制备方法，包含如下步骤：(1)首先通过高温薄膜沉积工艺在基片上沉积一层10‑30nm二氧化钒种子层；(2)然后降低温度，在步骤(1)获得的二氧化钒种子层上继续沉积所需厚度的氧化钒薄膜，...
顾德恩熊志赵天成周鑫
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于贵
作品数：274被引量：98H指数：6
供职机构：中国科学院化学研究所
研究主题：开关比 迁移率 有机场效应晶体管 石墨烯 有机半导体
张卫锋
作品数：56被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院化学研究所
研究主题：开关比 迁移率 晶体管器件 有机场效应晶体管 场效应晶体管
刘云圻
作品数：424被引量：510H指数：13
供职机构：中国科学院化学研究所
研究主题：有机场效应晶体管 石墨烯 迁移率 有机半导体 开关比
黄剑耀
作品数：39被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院化学研究所
研究主题：迁移率 开关比 晶体管器件 有机场效应晶体管 直链
黄维
作品数：2,217被引量：1,710H指数：15
供职机构：南京工业大学
研究主题：铱配合物 钙钛矿 共轭聚合物 咔唑 磷光