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极化库仑场散射对GaN开关电源性能的影响研究: 继第一代和第二代半导体技术之后发展起来的以氮化镓(GaN)为代表的第三代宽禁带半导体材料、器件与电路系统，引发了众多科技领域的变革与进步。这种技术融合了电子、信息、材料、物理、数学等各个领域的前沿进展。由于众所周知的Ga...; 岳阳; 关键词：开关电源模块电学参数

结合极化库仑场散射效应的分裂栅AIGaN/GaN异质结场效应晶体管研究: GaN是第三代半导体材料的重要代表,用作电子器件时常以AlGaN/GaN异质结场效应晶体管(HFETs)的形式出现。基于GaN材料的优势,AlGaN/GaN HFETs具有很高的击穿电场及饱和电子漂移速度;同时,在AlG...; 刘阳; 关键词：电压放大器

强场原子电离过程中的库仑场效应: 利用超短的强激光脉冲与原子、分子、团簇或固体物质等相互作用，以实现对极端条件下物质行为的探索研究等工作，是当前物理学领域的一项重点研究内容。当这样的激光脉冲作用到各种形态的物质上时，导致光与物质的相互作用进入了非线性非微...; 白宇星; 关键词：动力学

GaN基异质结场效应晶体管中势垒层和P--GaN层与极化库仑场散射相关研究: GaN基异质结场效应晶体管(GaN-Based heterostructure field effect transistors，GaN-Based HFETs)是新一代半导体器件的杰出代表，由于其具有高电子迁移率、高临...; 姜光远; 关键词：场效应晶体管二维电子气; 文献传递

库仑场下三角量子阱中弱耦合极化子的相互作用能被引量：2: 2020年; 本文在Huybrechts弱耦合极化子模型的基础上,采用线形组合算符和两次幺正变换相结合的方法研究了库仑场下各种量对三角量子阱中弱耦合极化子相互作用能的影响。经过推导,得出了三角量子阱中弱耦合极化子相互作用能的表达式,库仑场下三角量子阱中弱耦合极化子相互作用能由三项组成:分别包括束缚势能量、电子与体纵光学声子之间相互作用能和三角量子阱中限制势能量。这三个部分对相互作用能各有贡献,均不可忽略。进一步还可以选择具体的半导体材料进行数值计算,从而得到确定半导体量子阱中极化子相互作用能随量子阱中库仑束缚势、电子-声子耦合强度和三角量子阱中限制势的数值对应变化关系,从而体会库仑场下各种参量对三角量子阱中弱耦合极化子奇特的量子效应。此结论也可以广泛推广到库仑场下各种弱耦合材料三角量子阱中极化子相互作用能的参考和计算。; 张海瑞; 关键词：束缚极化子相互作用能

基于HIAF的极端条件原子物理:从强库仑场到超越临界电磁场的量子电动力学效应研究被引量：2: 2020年; 建设中的强流重离子加速器HIAF(High Intensity heavy-ion Accelerator Facility)大科学装置将为探索从强库仑场到超越临界电磁场的量子电动力学效应研究提供全新的实验研究条件.本文从基于现代原子精密谱学技术出发,结合HIAF装置的结构及其能够提供离子束的特点,总结了在HIAF及其未来升级版装置上能够开展的原子物理方向的前沿研究工作,内容涉及超强场量子电动力学QED(Quantum Electrodynamics)效应检验、高电荷态离子中的宇称破缺、相对论能量离子原子碰撞量子少体问题、利用有质量粒子物质波进行量子力学基本假设检验等基本物理过程研究.讨论了利用原子精密谱学与放射性核素物理结合,开展与现代核物理的交叉研究和激光谱学技术在放射性核素物理和核能领域的应用.探讨了利用最新激光技术——XUV(Extreme Ultraviolet)激光与储存环高电荷态离子结合开展实验研究的可能性.; 马新文张少锋张少锋杨杰汶伟强钱东斌杨杰张鹏鸣朱小龙汪寒冰钱东斌

极化库仑场散射理论应用于AlGaN/GaN电力电子器件的研究: 电力电子器件(Power electronic device)也叫做功率器件，是一种对电能实现传输、控制和转换的器件，在电力电子技术及电力系统中居于至关重要的地位，在军工设备、汽车电子、家用电器、轨道交通及通信、信息系统...; 付晨; 关键词：电力电子器件表面钝化

AlGaN/GaN/AlGaN/GaN双异质结场效应晶体管中极化库仑场散射机制研究: AlGaN/GaN异质结场效应晶体管(AlGaN/GaNHFETS)具有饱和电子漂移速度高、击穿电场强、输出功率高等优点,而且由于自发极化和压电极化效应的存在,即使在没有任何掺杂的情况下,在异质界面处也会产生面密度为10...; 郝笑寒; 文献传递

极化库仑场散射对凹栅槽AlGaN/GaN异质结场效应晶体管器件特性影响研究: AlGaN/GaNs异质结场效应晶体管（HFET）具有高饱和电子漂移速度、高跨导、高击穿电压等优良特性。不仅如此,由于GaN材料的自发极化和压电极化效应,在没有掺杂的条件下,AlGaN/GaN异质结界面就存在浓度高达1 ...; 孟丽平; 文献传递

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