搜索到23842篇“ 双极晶体管“的相关文章
全部数字资源类型
相关度排序
绝缘栅双极晶体管及其制作方法
本发明实施例公开一种绝缘栅双极型晶体管及其制作方法，该绝缘栅双极型晶体管包括：集电极区，所述集电极区包括第一类掺杂区和第二类掺杂区；其中，所述第一类掺杂区的掺杂浓度大于所述第二类掺杂区的掺杂浓度；缓冲区，所述缓冲区位于所...
刘利书冯宇翔
横向绝缘栅双极晶体管及其制备方法
本申请涉及一种横向绝缘栅双极晶体管，包括漂移区、第一阱区、第一电极引出区、第二电极引出区以及电导调制结构。漂移区具有第一导电类型，电导调制结构设于第一电极引出区和第二电极引出区之间的漂移区内，电导调制结构包括设于漂移区的...
刘腾张森何乃龙章文通文天龙赵景川
锗硅异质结双极晶体管及其制造方法
本申请公开了一种锗硅异质结双极晶体管及其制造方法，涉及半导体技术领域，特别涉及半导体器件及集成电路工艺设计和制造领域。本申请提供的锗硅异质结双极晶体管及其制造方法，能够达到露出所述多晶硅外基区部分侧壁从而为后续与锗硅外延...
付军赵悦 郑凯 周亦康
异质结双极晶体管自对准硅化物的形成方法
本申请涉及异质结双极晶体管自对准硅化物的形成方法。该方法包括：制作异质结双极晶体管，在发射区结构侧壁位置处的第二介质层上形成第二侧墙；在第二介质层上形成外基区光刻胶层，通过外基区光刻胶层定义外基区图案；基于带有外基区图案...
段雪飞史春昌黄静娴杨飘陈曦黄景丰
一种锗硅异质结双极晶体管及其制造方法
本申请公开了一种锗硅异质结双极晶体管及其制造方法，涉及半导体技术领域，特别涉及半导体器件及集成电路工艺设计和制造领域。本申请提供的锗硅异质结双极晶体管及其制造方法，能够使锗硅异质结双极晶体管露出多晶硅外基区部分侧壁从而为...
付军赵悦 郑凯 周亦康
异质结双极晶体管
本发明提供一种能够维持较高的线性效率以及较高的线性输出的异质结双极晶体管。HBT的集电极层包含高浓度集电极层和配置于其上的低浓度集电极层。低浓度集电极层包含随着远离基极层而能带隙变窄地变化的渐变集电极层。基极层的半导体材...
梅本康成小屋茂树大部功
异质结双极晶体管
本申请公开了一种异质结双极晶体管，属于半导体技术领域。该异质结双极晶体管包括：集电极；基极，位于所述集电极的一侧；发射极，位于所述基极背离所述集电极的一侧；其中，所述发射极包括第一超晶格结构，所述发射极的带隙大于所述基极...
朱虹陶赓名许雅俊
异质结双极晶体管
本申请公开了一种异质结双极晶体管，属于半导体技术领域。该异质结双极晶体管包括：集电极；基极，位于所述集电极的一侧；发射极，位于所述基极背离所述集电极的一侧；其中，所述基极包括超晶格结构，所述基极的带隙小于所述发射极的带隙...
陶赓名朱虹许雅俊
异质结双极晶体管
本发明提供一种抑制电流放大率的降低以及基极‑发射极间反向耐压的降低，并且实现高效率化的HBT。在异质结双极晶体管中，集电极层、基极层、发射极层以及半导体层依次层叠，发射极层包括在上表面层叠有半导体层的第一区域和与第一区域...
梅本康成小屋茂树吉田茂大部功
阳极短路横向绝缘栅双极晶体管模型及其建模方法
本发明涉及一种阳极短路横向绝缘栅双极晶体管模型，包括：NMOS管M1，所述NMOS管M1的源极连接所述SA‑LIGBT的发射极，所述NMOS管M1的栅极连接所述SA‑LIGBT的栅极；NPN三极管QN1，所述NPN三极管...
沈丽君刘新新韩晓婷李新红张心凤杨洋
加载更多 ∨

相关作者

付军
作品数：92被引量：11H指数：2
供职机构：清华大学
研究主题：双极晶体管 发射区 锗硅异质结双极晶体管 发射极 基极电阻
王玉东
作品数：85被引量：8H指数：2
供职机构：清华大学
研究主题：双极晶体管 发射区 锗硅异质结双极晶体管 发射极 基极电阻
刘志弘
作品数：157被引量：55H指数：5
供职机构：清华大学
研究主题：双极晶体管 发射区 锗硅异质结双极晶体管 发射极 锗硅
张伟
作品数：363被引量：559H指数：13
供职机构：清华大学
研究主题：双极晶体管 发射区 锗硅异质结双极晶体管 发射极 基极电阻
崔杰
作品数：76被引量：6H指数：1
供职机构：清华大学
研究主题：双极晶体管 发射区 锗硅异质结双极晶体管 发射极 基极电阻