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一种半导体晶体的生长方法
本申请公开了一种半导体晶体的生长方法，在进行半导体晶体生长之前，对籽晶进行缺陷检测，以获取第一表面的缺陷数据，基于缺陷数据确定第一表面中缺陷密集区域，通过扩径生长结构件覆盖缺陷密集区域之后，基于具有扩径生长结构件的第一表...
汪坪范立伟杨剑挥王波彭同华曾江杨建
一种复合型分立半导体晶体管
本发明公开了一种复合型分立半导体晶体管，包括两个金属‑氧化物半导体场效应晶体管级联的共源共栅结构、级间电感以及偏置电路；所述共源共栅结构中的两个晶体管分别为晶体管M1以及晶体管M2，所述晶体管M1的栅极和源极分别形成复合...
马凯学张进傅海鹏王勇强闫宁宁
一种半导体晶体的镀色方法
本发明属于半导体表面着色领域，涉及一种半导体晶体的镀色方法。选用纯度为99.8%的圆形钛靶，高纯Ar作为溅射放电气体、高纯N<Sub>2</Sub>或O<Sub>2</Sub>作为活性反应气体，用磁控溅射的方法，可以在半...
张雷李秋波王守志俞娇仙王国栋徐现刚
使用源粉末从坩埚壁生长半导体晶体
本申请案涉及使用源粉末从坩埚壁生长半导体晶体。一种用于制造半导体晶体的坩埚可邻近于加热元件安置。所述坩埚可包含位于所述坩埚的相对端部处的第一晶种位置及第二晶种位置。可在所述坩埚的外壁与内壁之间界定隔室，其中所述内壁用多孔...
R·耶斯科L·瓦列克J·捷希克
一种制备异形半导体晶体的装置和方法
本申请涉及半导体制备技术领域，具体涉及一种制备异形半导体晶体的装置和方法。本装置包括容器、加热件、两个半圆柱模具、两个方块模具、支撑件和驱动件。两个半圆柱模具相互间隔、对称的固定于容器之中；两个方块模具相互间隔、对称的设...
胡开朋
一种功率金属氧化物半导体晶体管元件
本发明涉及金属氧化物半导体技术领域，且公开了一种功率金属氧化物半导体晶体管元件，包括漏极、栅极和源极，漏极的上表面形成有N+衬底，N+衬底的上方具有N‑漂移区，N‑漂移区的通过离子注入形成有横向等距分布的P阱，所述P阱的...
许一力
一种提拉式半导体晶体生长装置及生长方法
本发明涉及半导体材料技术领域，特别涉及一种提拉式半导体晶体生长装置及生长方法。包括：一种提拉式半导体晶体生长装置，利用坩埚传动装置使得第一坩埚内的籽晶和第二坩埚内的原料之间的轴向距离增大，从而提高生长腔的轴向温度梯度，同...
皮孝东徐嶺茂韩学峰郭浩徐所成杨德仁
一种提拉式半导体晶体生长装置及生长方法
本发明涉及半导体材料技术领域，特别涉及一种提拉式半导体晶体生长装置及生长方法。包括：一种提拉式半导体晶体生长装置，利用坩埚传动装置使得第一坩埚内的籽晶和第二坩埚内的原料之间的轴向距离增大，从而提高生长腔的轴向温度梯度，同...
皮孝东徐嶺茂韩学峰郭浩徐所成杨德仁
一种无坩埚制备大尺寸半导体晶体的方法
一种无坩埚制备大尺寸半导体晶体的方法，属于半导体材料的制备领域，所述方法包括以下步骤：步骤1、将籽晶和多晶分离设置；步骤2、加热籽晶和多晶远端的端面，端面温度小于半导体的熔点；步骤3、加热籽晶端面是籽晶部分融化，在籽晶端...
王书杰孙聂枫邵会民徐森锋李晓岚王阳史艳磊姜剑李亚旗赵红飞谷伟侠
具有完全耗尽的沟道区的功率半导体晶体管
本发明涉及具有完全耗尽的沟道区的功率半导体晶体管。一种功率半导体晶体管包括耦合到第一负载端子的半导体主体，该晶体管进一步具有：半导体漂移区，被包括在所述半导体主体中；第一沟槽，沿垂直方向延伸到半导体主体中；第一源区；第一...
A·毛德F-J·尼德诺施泰德C·P·桑多
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孙聂枫
作品数：227被引量：76H指数：6
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所
研究主题：磷化铟 坩埚 晶体生长 INP 籽晶
邵会民
作品数：120被引量：16H指数：2
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所
研究主题：坩埚 磷化铟 晶体生长 半导体晶体 籽晶
李晓岚
作品数：122被引量：21H指数：3
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所
研究主题：磷化铟 坩埚 半导体晶体 晶体生长 炉体
王阳
作品数：133被引量：22H指数：3
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所
研究主题：磷化铟 坩埚 晶体生长 VGF 半导体晶体
孙同年
作品数：127被引量：55H指数：5
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所
研究主题：磷化铟 晶体生长 坩埚 INP VGF