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半导体功率器件: 本公开的实施例涉及半导体功率器件。一种半导体功率器件，包括：第一传导端子和第二传导端子；半导体主体，包含碳化硅并具有第一导电类型；多个主体阱，具有第二导电类型，所述多个主体阱在所述半导体主体中并且彼此隔开主体距离；所述主...; S·卡西诺A·瓜尔内拉M·G·萨吉奥

一种半导体功率器件: 本申请实施例涉及半导体技术领域，公开了一种半导体功率器件。半导体功率器件包括第一导电类型半导体衬底，沿第一方向依次层叠设置在第一导电类型半导体衬底上的第一导电类型半导体漂移区与第二导电类型半导体阱区，以及沿第二方向设置在...; 许天赐曾大杰刘锋张振宇

一种半导体功率器件: 本实用新型涉及一种半导体功率器件，包括器件主体以及与所述器件主体相连的引脚，所述引脚包括栅极引脚、源极引脚和漏极引脚，其还包括屏蔽结构，所述屏蔽结构设置在所述栅极引脚、源极引脚和漏极引脚中的至少两个的外侧。本申请能够有效...; 常磊

半导体功率器件: 本发明实施例提供的一种半导体功率器件，包括：n型半导体层；位于所述n型半导体层内的多个p型柱；位于所述n型半导体层内且位于所述p型柱顶部的p型体区，所述p型体区内设有n型源区；凹陷在所述n型半导体层内的控制电流沟道开启和...; 王鹏飞袁愿林刘磊王睿

半导体功率器件: 本发明提供了半导体功率器件。该半导体功率器件包括衬底、外延层、阱区、栅极和JFET区，所述阱区包括：多个第一阱区，多个所述第一阱区间隔分布，且每个所述第一阱区在所述衬底上的正投影为圆形；第二阱区，每个所述第一阱区与所述第...; 钟树理朱辉肖秀光

半导体功率器件及其制备方法: 本发明题为“用于碳化硅功率半导体器件上的背侧欧姆接触的碳受控欧姆接触层”。本发明公开了一种半导体功率器件，所述半导体功率器件可包括在其第一表面上形成有有源功率器件的碳化硅SiC层。可在所述SiC层的第二相对表面上形成欧姆...; T·T·P·法姆朴金硕A·康斯坦丁诺夫T·奈尔

一种超低功率半导体功率器件: 本实用新型公开了一种超低功率半导体功率器件，涉及半导体技术领域，包括半导体本体，还包括：底壳，底壳设置于半导体本体底部；顶壳，顶壳设置于半导体本体顶部；连接机构，连接机构设置于底壳与顶壳之间；连接机构包括设置于底壳侧壁的...; 刘文广

半导体功率器件及半导体模块: 本申请实施例涉及器件封装技术领域，公开了一种半导体功率器件及半导体模块。其中的半导体功率器件包括芯片、引线框架、引脚及塑封体；引线框架具有沿预设方向相对设置的第一表面与第二表面，第一表面承载芯片，第二表面为散热面，引线框...; 葛永飞

一种超低功耗半导体功率器件: 本实用新型公开了一种超低功耗半导体功率器件，涉及半导体器件设备技术领域。本实用新型包括半导体功率器件本体，半导体功率器件本体的两个端部均构造有安装槽，这里的安装槽是在现有技术中的半导体功率器件本体上构造，或生产半导体功率...; 葛晋

一种具有栅极沟槽的半导体功率器件: 本发明涉及半导体功率器件技术领域，尤其是涉及一种具有栅极沟槽的半导体功率器件，包括第一导电类型的漂移区；所述漂移区内设有第二导电类型的主体区；嵌入在主体区的第一导电类型的源极区；位于主体区正下方的第一导电类型增强区；栅极...; 尼克·吉尔·施耐德宝拉·迪亚兹·雷戈萨拉尔斯·诺尔·克里斯蒂安

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张波: 作品数：4,938被引量：6,950H指数：42; 供职机构：电子科技大学; 研究主题：功率半导体器件半导体功率器件电能传输系统无线导电类型

李泽宏: 作品数：1,002被引量：112H指数：5; 供职机构：电子科技大学; 研究主题：导通压降功率半导体器件半导体功率器件导电类型关断损耗

乔明: 作品数：612被引量：130H指数：7; 供职机构：电子科技大学; 研究主题：导电类型功率半导体器件半导体功率器件比导通电阻击穿电压

张金平: 作品数：542被引量：66H指数：5; 供职机构：电子科技大学; 研究主题：导通压降功率半导体器件关断损耗槽栅漂移区

任敏: 作品数：491被引量：21H指数：3; 供职机构：电子科技大学; 研究主题：导电类型功率半导体器件漂移区半导体导通压降